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公开(公告)号：CN111180326B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201911032952.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体晶圆的加工方法，包括：开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率调节至过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第一过渡腔室压力；在预定时间段内，使所述射频源持续输出所述过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第二过渡腔室压力；将所述射频源的输出功率调节至第二射频功率；同时，将所述腔室压力调节至所述第二腔室压力；以及，使所述射频源输出所述第二射频功率，并使所述腔室压力保持在所述第二腔室压力本发明在调节工艺条件期间，射频源维持输出射频功率，使得鞘层可维持在工作件(如晶圆)的上方，并借此改善工艺结果及提升良率。
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公开(公告)号：CN109273341B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201811218801.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供了一种等离子体工艺方法，利用至少一对主电源与从电源激发等离子体；其中，所述等离子体工艺方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段，每个所述时段将所述至少一对主电源与从电源的共同激励锁相角度维持在一预定值，以提高所述等离子体的角向分布均匀性。
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公开(公告)号：CN104977857B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410134092.2
申请日：2014-04-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李娟娟
IPC: G05B19/04
Abstract: 本发明公开了一种工艺制程处理方法及系统，其中方法包括：根据工艺制程中各个参数的物理存储位置，将工艺制程中的所有参数划分为两种类型，其中，一种为工艺参数，另一种为配置参数；工艺开始后，读取工艺制程中的所有参数的值；遍历工艺制程中的所有参数，并根据参数的名称识别当前参数的类型；若当前参数为配置参数，则进一步判断当前参数是否存在根据用户需求配置的指定值，若判断当前参数存在指定值，则将指定值发送至对应的功能模块中运行并显示。其实现了根据用户需求对某一个工艺制程单独进行配置参数的设置，满足了现有工艺的需求，方便用户编辑查看。
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公开(公告)号：CN110416111A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810402479.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李娟娟
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种实现多个腔室匹配的方法和装置。方法包括设定各腔室的初始工艺参数，其中，各所述腔室的初始工艺参数均相同；获取各所述腔室的实际硬件参数信息；根据所述实际硬件参数信息确定对应的所述腔室的工艺参数调整量；基于各所述腔室的所述工艺参数调整量和所述初始工艺参数，计算得到各所述腔室的实际工艺参数；将所述实际工艺参数下发至与其对应的各所述腔室，以使得各所述腔室的工艺输出结果相匹配。本发明的方法，可以使得各腔室之间的工艺输出结果匹配。并且，其可以将参数调整过程隐藏在系统中，省略掉了传统的腔室匹配方法中需要调节各个腔室的硬件和工艺参数的繁琐过程，简化了腔室匹配的工艺，提高生产效率，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN109273341A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811218801.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供了一种等离子体工艺方法，利用至少一对主电源与从电源激发等离子体；其中，所述等离子体工艺方法包括：至少一个工艺步骤；每个所述工艺步骤分为多个时段，每个所述时段将所述至少一对主电源与从电源的共同激励锁相角度维持在一预定值，以提高所述等离子体的角向分布均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110416111B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810402479.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李娟娟
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种实现多个腔室匹配的方法和装置。方法包括设定各腔室的初始工艺参数，其中，各所述腔室的初始工艺参数均相同；获取各所述腔室的实际硬件参数信息；根据所述实际硬件参数信息确定对应的所述腔室的工艺参数调整量；基于各所述腔室的所述工艺参数调整量和所述初始工艺参数，计算得到各所述腔室的实际工艺参数；将所述实际工艺参数下发至与其对应的各所述腔室，以使得各所述腔室的工艺输出结果相匹配。本发明的方法，可以使得各腔室之间的工艺输出结果匹配。并且，其可以将参数调整过程隐藏在系统中，省略掉了传统的腔室匹配方法中需要调节各个腔室的硬件和工艺参数的繁琐过程，简化了腔室匹配的工艺，提高生产效率，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN106531658B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201510574343.3
申请日：2015-09-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供了一种控压方法和装置，其中，所述控压方法包括：确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且所述真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制质量流量控制器以第一设定流量值向所述真空传输腔室充入气体；获取所述真空传输腔室的压力值；当获取的所述压力值大于第二设定压力值时，控制所述质量流量控制器以第二设定流量值向所述真空传输腔室充入气体，其中，所述第一设定流量值大于所述第二设定流量值。通过本发明实施例提供的控压方案，能够有效地缩短TC腔室压力恢复时间，从而提高TC腔室与PM腔室之间传输晶片的效率。
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公开(公告)号：CN104952761B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201410119427.3
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李娟娟
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备工艺加工异常处理的方法及系统。其中方法包括如下步骤：检测工艺加工过程是否出现异常；当工艺加工过程出现异常时，停止当前工艺步骤，并抛出阻塞型报警；根据所选择的预设异常处理模式执行相应的操作；其中预设异常处理模式为多个，不同的预设异常处理模式包括不同的操作步骤组合。其改变了传统技术中必须由工艺加工人员手动处理的单一模式，提高了工艺异常后的操作流程的自动性和方便性，同时能够避免不必要的人为错误。
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公开(公告)号：CN107346750A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610289806.6
申请日：2016-05-04
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李娟娟
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种半导体工艺处理方法，解决了物料加工失败后处理效率低下的问题，该方法包括：将待处理的物料传输至就绪状态的工艺腔室以执行工艺处理任务；检测所述工艺腔室内的工艺处理任务是否正常结束；当所述工艺处理任务出现异常时，设置相应的工艺腔室为修复状态；检测所述相应的工艺腔室的工作状态变化，当所述相应的工艺腔室的工作状态由修复状态转换至就绪状态时继续所述工艺处理任务。与现有技术相比，本发明的不需要停止使用该工艺腔室的工作JOB手动取出物料，然后从头开始执行工艺处理任务，仅需等待异常修复后，可以继续执行工艺处理任务，有效地提高了产率。
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公开(公告)号：CN111180326A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911032952.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 一种半导体晶圆的加工方法，包括：开启射频源，使射频源输出第一射频功率，并将工艺腔室的腔室压力设为第一腔室压力；维持所述射频源开启，将所述射频源的输出功率调节至过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第一过渡腔室压力；在预定时间段内，使所述射频源持续输出所述过渡射频功率；同时，将所述腔室压力调节至第二过渡腔室压力；将所述射频源的输出功率调节至第二射频功率；同时，将所述腔室压力调节至所述第二腔室压力；以及，使所述射频源输出所述第二射频功率，并使所述腔室压力保持在所述第二腔室压力本发明在调节工艺条件期间，射频源维持输出射频功率，使得鞘层可维持在工作件(如晶圆)的上方，并借此改善工艺结果及提升良率。
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