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公开(公告)号：CN115692294A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110838134.0
申请日：2021-07-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备及其控制方法，能够有利于晶圆处理过程中的节能环保，以及提高晶圆的生产加工良率。本申请提供的半导体工艺设备包括：反应腔室；静电卡盘，设置于所述反应腔室内，且所述静电卡盘包括：晶圆放置层，包括晶圆放置面；温控层，设置在所述晶圆放置层的下表面，所述温控层内部形成有气流通道；气流组件，设置有出风端口，所述出风端口连通至所述气流通道，且所述气流组件能够提供温控气体。本申请借助设置在温控层中的气流通道来实现对晶圆放置层表面放置的晶圆的温度控制，温控效率较高，并且无需设置冷水管，消除了冷水管对加热均匀性的影响，可以帮助实现均衡的温度控制。
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公开(公告)号：CN111952139B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201910407445.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李华
Abstract: 本发明提供的半导体制造设备及半导体制造方法，包括多个真空腔室、缓冲装置及机械手，其中一个真空腔室用作传输腔室，其余真空腔室用作功能腔室环绕设置在传输腔室周围，缓冲装置设置在至少一个真空腔室中，用于承载晶片，真空机械手设置在传输腔室中，用于在任意两个功能腔室之间传递晶片，且能够将晶片传递至所述缓冲装置上。通过将缓冲装置设置在真空腔室中，延长晶片在真空状态下的时间，由于真空腔室的真空度远高于工厂抽气的真空度，因此对残气的处理效果更优，另外，由于缓冲装置设置在真空腔室，晶片在残气处理之前不会与空气中的水汽接触，从而避免影响晶片质量。
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公开(公告)号：CN111060223A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911366523.7
申请日：2019-12-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明提供一种卡盘校温装置及方法，该卡盘校温装置用于对卡盘中的第一温度传感器组进行校准；包括支架、第二温度传感器组、温控器和校温单元；卡盘包括一承载面，支架可拆卸的安装在卡盘上；第二温度传感器组设置在支架上，用于采集承载面的温度值；温控器分别与第一温度传感器组、第二温度传感器组和校温单元连接，用于接收来自第一温度传感器组的温度值、以及接收第二温度传感器组的温度值，并将两者皆传输至校温单元；校温单元用于根据第一温度传感器组的温度值、第二温度传感器组的温度值，获得第一温度传感器组的温度值与第二温度传感器组的温度值之间的关联关系，对卡盘中的第一温度传感器组进行校准。通过本发明提高了卡盘校温的准确性。
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公开(公告)号：CN110797292A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810864026.9
申请日：2018-08-01
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李华
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种承载装置、工艺腔室和半导体处理设备。包括：静电卡盘以及环绕所述静电卡盘的周向侧壁设置的支撑环，所述静电卡盘和所述支撑环共同承载待加工件，还包括第一驱动组件，用于驱动支撑环移动至第一卸载位置，以使得待加工件与静电卡盘脱离；第二驱动组件，用于驱动待加工件移动至第二卸载位置，以使得待加工件与支撑环脱离。支撑环顶起待加工件时，其与待加工件之间为均匀的环状面接触，可以避免由于待加工件由于粘片等导致的受力不均现象，此外，在利用第二驱动组件顶起待加工件时，只需要克服待加工件本身的重量即可，从而不会发生待加工件偏移的现象。
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公开(公告)号：CN115206767A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202211025897.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种承载装置、下电极组件及半导体工艺设备，所述承载装置(100)包括介质层(110)、基座(120)和多个功能层，多个所述功能层和所述基座(120)依次叠置；所述介质层(110)位于相邻的两个所述功能层之间，或位于所述功能层与所述基座(120)之间，以形成电容结构；所述介质层(110)设置有多个间隔分布的密封腔(111)，且多个所述密封腔(111)之间相互隔断。上述方案能够解决晶圆的刻蚀速率均匀性较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110797292B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201810864026.9
申请日：2018-08-01
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李华
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种承载装置、工艺腔室和半导体处理设备。包括：静电卡盘以及环绕所述静电卡盘的周向侧壁设置的支撑环，所述静电卡盘和所述支撑环共同承载待加工件，还包括第一驱动组件，用于驱动支撑环移动至第一卸载位置，以使得待加工件与静电卡盘脱离；第二驱动组件，用于驱动待加工件移动至第二卸载位置，以使得待加工件与支撑环脱离。支撑环顶起待加工件时，其与待加工件之间为均匀的环状面接触，可以避免由于待加工件由于粘片等导致的受力不均现象，此外，在利用第二驱动组件顶起待加工件时，只需要克服待加工件本身的重量即可，从而不会发生待加工件偏移的现象。
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公开(公告)号：CN115206767B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202211025897.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种承载装置、下电极组件及半导体工艺设备，所述承载装置(100)包括介质层(110)、基座(120)和多个功能层，多个所述功能层和所述基座(120)依次叠置；所述介质层(110)位于相邻的两个所述功能层之间，或位于所述功能层与所述基座(120)之间，以形成电容结构；所述介质层(110)设置有多个间隔分布的密封腔(111)，且多个所述密封腔(111)之间相互隔断。上述方案能够解决晶圆的刻蚀速率均匀性较差的问题。
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公开(公告)号：CN117784853A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211152494.6
申请日：2022-09-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G05D23/30
Abstract: 一种静电卡盘温控方法和温控装置，温控方法包括：根据静电卡盘的目标温度对应的目标加热功率对静电卡盘进行加热，直到静电卡盘的当前温度达到第一预设温度，第一预设温度低于目标温度，且目标温度和第一预设温度之间的差值在第一预设阈值范围内；通过PID控制对静电卡盘的加热功率进行控制，调整静电卡盘的温度至目标温度。该温控方法以最大效率利用加热装置的加热功率，能够实现静电卡盘快速升温，避免了传统PID控制导致的静电卡盘升温速度慢的缺陷。
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公开(公告)号：CN108695148B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201710235663.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种介质窗的温控装置及应用其的反应腔室，该介质窗的温控装置包括：腔体，其与介质窗形成封闭空腔，且该腔体包括进气口和出气口；气体循环机构，用于将热交换气体通过进气口输送至封闭空腔内，同时通过出气口抽取封闭空腔内的热交换气体。本发明提供的介质窗的温控装置，其可以控制介质窗的温度，以使介质窗的温度保持稳定，从而可以保证产品的一致性和设备的稳定性。同时，由于热交换气体仅在封闭空腔中流动，即使其处于高温状态，也不会对介质窗附近的其他零部件造成高温影响。
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公开(公告)号：CN111968926A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910421269.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 李华
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体设备以及晶片传输方法，该半导体设备包括：设备前端模块和传输平台，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。通过本发明，提高了半导体设备的生产效率。
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