公开(公告)号：CN119943703A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311458509.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 李东芳 ,  王伟 ,  王喜健 ,  茅兴飞 ,  冯辉彩

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室以及排液方法。其中，半导体工艺腔室包括设置于腔室主体外壁上的第一控温主体；第一控温主体中具有用于供热交换液流动的控温通道，且控温通道具有多条第一管段和第二管段，第一管段的两端分别与高于其端部的管段连接，第二管段位于控温通道的最底端且水平延伸；第一控温主体中还具有辅助排液通道，辅助排液通道与多条第一管段和第二管段连通；半导体工艺腔室还包括设置于辅助排液通道中开关组件；开关组件用于在第一状态时阻挡液体在辅助排液通道中流动；开关组件用于在第二状态时使多条第一管段中的液体通过辅助排液通道流入第二管段中，从而避免积液在低温环境下凝固而导致多条第一管段损坏。

公开(公告)号：CN112259429B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202011061838.3

申请日：2020-09-30

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 牛晨 ,  韦刚 ,  茅兴飞

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/248 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、供电线、电源、屏蔽盒和位于工艺腔室内的下电极，屏蔽盒设置在工艺腔室的腔室壁外侧，供电线的第一端与下电极电连接，供电线的第二端依次穿过工艺腔室的侧壁和屏蔽盒并与电源电连接。该半导体工艺设备还包括绝缘件，绝缘件设置在屏蔽盒与工艺腔室的侧壁之间，绝缘件上形成有走线孔，供电线穿过该走线孔。在本发明提供的半导体工艺设备中，绝缘件阻断了电流通过工艺腔室的侧壁流向屏蔽盒的通路，仅允许射频电流通过下电极下方的供电线流向电源，从而提高了流回供电线的射频电流沿各个方向分布的均匀性，进而提高了半导体工艺的均匀性。

公开(公告)号：CN115602406A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110776469.4

申请日：2021-07-09

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司(CN)

Inventor： 许金基 ,  茅兴飞

IPC: H01F5/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备中用于产生等离子体的线圈装置及半导体工艺设备，该装置包括线圈结构和用于固定和冷却线圈结构的固定冷却组件，其中，固定冷却组件包括采用绝缘材料制作的固定本体，且在固定本体中形成有冷却空间，线圈结构固定设置在冷却空间中；固定本体上设置有与冷却空间相连通的进气口和出气口，进气口用于向冷却空间中输送冷却气体；出气口用于排出冷却空间中的冷却气体；在冷却空间中还设置有扰流结构，用以改变冷却空间中的气体流动方向，以提高冷却空间中的气体分布均匀性。本发明提供的上述线圈装置及半导体工艺设备，可以提高对线圈的冷却效率和冷却均匀性，降低线圈的氧化速度，从而可以延长线圈的使用寿命。

公开(公告)号：CN111613503B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202010419642.0

申请日：2020-05-18

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 卫晶 ,  韦刚 ,  杨京 ,  牛晨 ,  茅兴飞

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备，所述上电级机构包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，所述射频线圈包括至少两条并联的支路；每条所述支路上均设置有一所述电流传感器，用于检测该支路的支路电流；所述电流调整装置设置在所述射频线圈上，用于调整每个所述支路的支路电流，以使各所述支路的支路电流均相等。这样，通过电流调整装置，可以使射频线圈中每个支路的支路电流相等，实现刻蚀的均匀性。

公开(公告)号：CN108695148B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201710235663.5

申请日：2017-04-12

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞 ,  李华

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种介质窗的温控装置及应用其的反应腔室，该介质窗的温控装置包括：腔体，其与介质窗形成封闭空腔，且该腔体包括进气口和出气口；气体循环机构，用于将热交换气体通过进气口输送至封闭空腔内，同时通过出气口抽取封闭空腔内的热交换气体。本发明提供的介质窗的温控装置，其可以控制介质窗的温度，以使介质窗的温度保持稳定，从而可以保证产品的一致性和设备的稳定性。同时，由于热交换气体仅在封闭空腔中流动，即使其处于高温状态，也不会对介质窗附近的其他零部件造成高温影响。

公开(公告)号：CN109192696B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810911227.X

申请日：2018-08-10

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明实施例公开了一种升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备，其中，升降针系统包括：聚焦环、静电卡盘、聚焦环起升装置和晶圆升针顶升装置；聚焦环起升装置包括：聚焦环顶针和第一升降驱动装置，第一升降驱动装置驱动聚焦环顶针升起或下降，用以将聚焦环顶起或降下；晶圆升针顶升装置包括：晶圆顶针和第二升降驱动装置，第二升降驱动装置驱动晶圆顶针升起或下降，用以将放置在聚焦环上的晶圆顶起或降下。本发明的系统、真空反应腔室以及设备，能够提高异常维护效率；通过在预定工艺时间后精确提升聚焦环的高度，使聚焦环的使用寿命提高一倍；可实现在不破化反应腔真空的情况下更换聚焦环，提高更换易耗件的效率。

公开(公告)号：CN112509901A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011299759.6

申请日：2020-11-19

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 鲁艳成 ,  韦刚 ,  茅兴飞

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备。该工艺腔室应用于半导体工艺设备，包括：腔室本体、基座及卡盘组件；腔室本体内形成有反应腔，基座位于反应腔内，卡盘组件与基座连接，以用于承载待加工工件；基座包括基座本体和多个悬臂，悬臂分别连接反应腔的内壁和基座本体的外壁，且多个悬臂沿基座本体的周向间隔且均匀设置；腔室本体、基座本体和悬臂为一体成型结构，且由具有导电性和导热性的材质制成。本发明实现了大幅提高工艺腔室的射频回路均匀性及整体温度均匀性，进而大幅提高待加工工件的良率。

公开(公告)号：CN112151364A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202011032583.8

申请日：2020-09-27

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞 ,  韦刚 ,  王伟 ,  陈国动

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/22 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体、进气部件、承载部件、上射频组件、多个紫外光发生装置和设置在腔室本体顶部的介质窗，承载部件设置在腔室本体内，并对应设置于介质窗下方；进气部件贯穿于介质窗中心；上射频组件设置于腔室本体的上方，用于对通入腔室本体内的工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；多个紫外光发生装置设置在介质窗和承载部件之间，并环绕在进气部件的周围，且沿腔室本体的周向均匀间隔分布；紫外光发生装置与介质窗之间具有预设夹角，用于产生朝向承载部件照射的第二紫外光。本发明提供的半导体反应腔室能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。

公开(公告)号：CN111785674A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010680474.0

申请日：2020-07-15

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞 ,  李岩 ,  黄海涛

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括管路组件、静电卡盘、工艺腔室和用于向管路组件发送控制信号的控制单元，管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至静电卡盘。冷却源包括第一冷却部和第二冷却部，管路组件至少包括第一分管路和第二分管路，第一分管路的一端与第一冷却部连接，另一端连接静电卡盘；第二分管路的一端与第二冷却部连接，另一端连接静电卡盘；管路组件用于在未接收到控制信号时，使第一冷却部经第一分管路与静电卡盘连通，并使第二冷却部与静电卡盘断开；管路组件还用于在接收到控制信号时，使第二冷却部经第二分管路与静电卡盘连通，并使第一冷却部与静电卡盘断开。本发明提供的半导体工艺设备安全性高且温控能力强。

公开(公告)号：CN107093545A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710464985.7

申请日：2017-06-19

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 黄亚辉 ,  韦刚 ,  李一成 ,  茅兴飞

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供的反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座，以及设置在基座下方的下电极腔，该下电极腔包括相互隔离的电磁屏蔽空间和非电磁屏蔽空间，二者分别通过贯穿下电极腔的腔体与反应腔室的侧壁的第一引入通道和第二引入通道与外界连通；以防止电磁屏蔽空间内的第一部件受到来自非电磁屏蔽空间内的第二部件的干扰。本发明提供的下电极机构，其不仅可以避免因射频干扰导致的电场均匀性受到影响，而且还可以减少射频泄漏。