公开(公告)号：CN111243951B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202010073796.9

申请日：2020-01-22

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 袁仁志 ,  林源为 ,  张海苗 ,  苏子铎 ,  陈振鹏 ,  董子晗

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括：对涂有光刻胶的硅片实施主刻蚀步，在主刻蚀步中，交替进行多次沉积工艺与刻蚀工艺，以在硅片上形成深硅槽结构，在主刻蚀步之前，还包括预轰击步，在预轰击步中，通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体，并通过等离子体轰击硅片，使光刻胶产生碎片并使碎片在硅片的氧化硅硬掩模与硅之间的界面处形成保护膜。通过在主刻蚀步和预沉积步之前加入预轰击步，改善了刻蚀顶部咬边等异常形貌。

公开(公告)号：CN111243951A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010073796.9

申请日：2020-01-22

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 袁仁志 ,  林源为 ,  张海苗 ,  苏子铎 ,  陈振鹏 ,  董子晗

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括：对涂有光刻胶的硅片实施主刻蚀步，在主刻蚀步中，交替进行多次沉积工艺与刻蚀工艺，以在硅片上形成深硅槽结构，在主刻蚀步之前，还包括预轰击步，在预轰击步中，通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体，并通过等离子体轰击硅片，使光刻胶产生碎片并使碎片在硅片的氧化硅硬掩模与硅之间的界面处形成保护膜。通过在主刻蚀步和预沉积步之前加入预轰击步，改善了刻蚀顶部咬边等异常形貌。