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公开(公告)号：CN114005721B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111273892.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，其内部具有工艺腔，顶部设置有进气口；整流结构，将工艺腔分隔为发生腔和加工腔；设置在加工腔的承载结构；线圈用于对进入发生腔的工艺气体进行离化形成等离子体。整流结构包括多个整流部，各整流部具有多个通孔，多个整流部中的一个呈板状，且在晶圆的轴向上覆盖晶圆的中部，其余的多个整流部均呈环状，呈环状的多个整流部沿晶圆的轴线依次设置在呈板状的整流部的下方，多个整流部的径向尺寸沿晶圆的径向由内向外逐渐增大，呈环状的多个整流部在晶圆的轴向上覆盖晶圆的其余部分，位于最外侧的整流部在晶圆的轴向上覆盖晶圆的边缘。本发明可对刻蚀速率差距进行补偿，从而有效地提高刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN114005721A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111273892.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室，其内部具有工艺腔，顶部设置有进气口；整流结构，将工艺腔分隔为发生腔和加工腔；设置在加工腔的承载结构；线圈用于对进入发生腔的工艺气体进行离化形成等离子体。整流结构包括多个整流部，各整流部具有多个通孔，多个整流部中的一个呈板状，且在晶圆的轴向上覆盖晶圆的中部，其余的多个整流部均呈环状，呈环状的多个整流部沿晶圆的轴线依次设置在呈板状的整流部的下方，多个整流部的径向尺寸沿晶圆的径向由内向外逐渐增大，呈环状的多个整流部在晶圆的轴向上覆盖晶圆的其余部分，位于最外侧的整流部在晶圆的轴向上覆盖晶圆的边缘。本发明可对刻蚀速率差距进行补偿，从而有效地提高刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN111243951A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010073796.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括：对涂有光刻胶的硅片实施主刻蚀步，在主刻蚀步中，交替进行多次沉积工艺与刻蚀工艺，以在硅片上形成深硅槽结构，在主刻蚀步之前，还包括预轰击步，在预轰击步中，通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体，并通过等离子体轰击硅片，使光刻胶产生碎片并使碎片在硅片的氧化硅硬掩模与硅之间的界面处形成保护膜。通过在主刻蚀步和预沉积步之前加入预轰击步，改善了刻蚀顶部咬边等异常形貌。
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公开(公告)号：CN116864363A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310870346.6
申请日：2023-07-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种聚焦环及半导体工艺腔室，聚焦环包括：环体，包括相对设置的第一内环形面和第一外环形面，以及从上下两侧分别连接第一内环形面和第一外环形面的第一顶面和底面；环形凸台，设置于第一顶面，并与环体同轴设置；环形凸台包括第二内环形面和第二外环形面，以及从上方连接第二内环形面和第二外环形面的第二顶面；第二内环形面的半径大于第一内环形面的半径；至少三个定位块，设置于第一顶面，并位于一与环体同心的定位圆上，定位圆的半径大于第一内环形面的半径，且小于第二内环形面的半径；定位圆的圆心位于定位块依次连接所形成的多边形的内部。
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公开(公告)号：CN114783867A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210296768.2
申请日：2022-03-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开一种氧化硅刻蚀方法，包括：沉积步，向工艺腔室内通入第一碳氟类气体，采用第一工艺参数对掩膜层暴露出的氧化硅层进行等离子体刻蚀，并同时在刻蚀形貌的侧壁形成碳氟聚合物保护层，所述第一参数包括下电极功率，所述下电极功率小于200W；刻蚀步，向所述工艺腔室内通入第一刻蚀气体，采用第二工艺参数对掩膜层暴露出的氧化硅层进行等离子体刻蚀；循环执行所述沉积步和所述刻蚀步至设定循环次数，以在掩膜层暴露出的氧化硅层中刻蚀出设定的深硅刻蚀结构。实现刻蚀出高深宽比、高绝对深度、侧壁角度垂直和侧壁光滑的深硅刻蚀结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114300334A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111389458.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，该工艺腔室包括腔室本体以及设置于腔室本体内部的基座和设置于基座上的聚焦环，还包括：多个聚焦环补充结构，多个聚焦环补充结构沿周向环绕设置于聚焦环上方，聚焦环补充结构的材质与被刻蚀的晶圆的材质相同；水平驱动机构，水平驱动机构设置于腔室本体的侧壁且与聚焦环补充结构连接，水平驱动机构用于驱动多个聚焦环补充结构沿各自径向方向同步运动，以调节各聚焦环补充结构相对于聚焦环在竖直方向上的重叠面积。实现解决大开口率刻蚀中边缘刻蚀速率过快的问题。
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公开(公告)号：CN111952169B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010849046.6
申请日：2020-08-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768 , H01L21/67 , B81C1/00
Abstract: 本申请提供一种聚酰亚胺刻蚀方法，包括以下步骤：S1、在聚酰亚胺层的表面形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层在聚酰亚胺层上形成图形化的沟槽；S2、在沟槽的底壁和侧壁上沉积保护层；S3、基于第一偏压功率，刻蚀掉底壁上的保护层，以显露聚酰亚胺层；S4、基于第二偏压功率，刻蚀显露出的聚酰亚胺层，其中，第一偏压功率小于第二偏压功率；循环执行步骤S2至步骤S4，直至达到目标刻蚀深度。应用本申请提供的聚酰亚胺刻蚀方法，可以得到具有高绝对深度、高垂直度的聚酰亚胺形貌。
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公开(公告)号：CN117747542A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311775026.9
申请日：2023-12-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311 , H01L23/538
Abstract: 本申请公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层，涉及半导体技术领域。一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，包括：涂覆光敏材料，并形成第一预定图层；进行第一刻蚀，使所述第一预定图层转移至所述聚酰亚胺层，去除所述光敏材料；涂覆光刻胶，并形成第二预定图层；进行第二刻蚀，使所述第二预定图层转移至所述聚酰亚胺层；去除所述光刻胶。本申请至少能够解决制备RDL布线过程中会产生较难清理干净的副产物的问题。
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公开(公告)号：CN111243951B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010073796.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括：对涂有光刻胶的硅片实施主刻蚀步，在主刻蚀步中，交替进行多次沉积工艺与刻蚀工艺，以在硅片上形成深硅槽结构，在主刻蚀步之前，还包括预轰击步，在预轰击步中，通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体，并通过等离子体轰击硅片，使光刻胶产生碎片并使碎片在硅片的氧化硅硬掩模与硅之间的界面处形成保护膜。通过在主刻蚀步和预沉积步之前加入预轰击步，改善了刻蚀顶部咬边等异常形貌。
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公开(公告)号：CN115685699A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110866522.X
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明实施例提供了一种去胶工艺的工艺配方生成方法和一种去胶机，所述方法包括：获取用户输入的工艺要求；根据所述工艺要求和所述去胶机的设备限制条件，生成工艺配方。根据本发明实施例，可以根据用户输入的工艺要求，直接生成满足该工艺要求的工艺配方。采用上述方法，在去胶机中根据输入的工艺要求和去胶机的设备限制条件自动生成符合工艺要求的工艺配方，不需要工艺人员手动调试获取，可以提升去胶机的自动化程度，大幅度降低工艺配方调试的用工成本、提高产能。
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