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公开(公告)号：CN114300404A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111659572.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开了一种校准装置及校准方法，涉及半导体领域。一种校准装置包括：校准装置本体和定位组件；校准装置本体一侧设有安装槽，安装槽的底壁为承载面，安装槽的侧壁为第一定位面；校准装置本体另一侧设有定位槽，定位槽和卡盘配合，以使承载面的轴线和卡盘的顶面的轴线重合；定位组件包括可拆卸地设置于校准装置本体的第一定位件和第二定位件，第一定位件上形成有导向部，导向部用于校准偏角值；第二定位件用于校准伸展值；第一定位件和/或第二定位件具有第二定位面，第二定位面用于校准高度值。一种校准方法，应用于校准装置。本申请能够解决机械手控制手柄操作和目测结合的校准方式导致晶圆与卡盘同心度偏差较大的问题。
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公开(公告)号：CN111785674A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010680474.0
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括管路组件、静电卡盘、工艺腔室和用于向管路组件发送控制信号的控制单元，管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至静电卡盘。冷却源包括第一冷却部和第二冷却部，管路组件至少包括第一分管路和第二分管路，第一分管路的一端与第一冷却部连接，另一端连接静电卡盘；第二分管路的一端与第二冷却部连接，另一端连接静电卡盘；管路组件用于在未接收到控制信号时，使第一冷却部经第一分管路与静电卡盘连通，并使第二冷却部与静电卡盘断开；管路组件还用于在接收到控制信号时，使第二冷却部经第二分管路与静电卡盘连通，并使第一冷却部与静电卡盘断开。本发明提供的半导体工艺设备安全性高且温控能力强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111785674B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202010680474.0
申请日：2020-07-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备，包括管路组件、静电卡盘、工艺腔室和用于向管路组件发送控制信号的控制单元，管路组件用于将冷却源中的冷却液传输至静电卡盘。冷却源包括第一冷却部和第二冷却部，管路组件至少包括第一分管路和第二分管路，第一分管路的一端与第一冷却部连接，另一端连接静电卡盘；第二分管路的一端与第二冷却部连接，另一端连接静电卡盘；管路组件用于在未接收到控制信号时，使第一冷却部经第一分管路与静电卡盘连通，并使第二冷却部与静电卡盘断开；管路组件还用于在接收到控制信号时，使第二冷却部经第二分管路与静电卡盘连通，并使第一冷却部与静电卡盘断开。本发明提供的半导体工艺设备安全性高且温控能力强。
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公开(公告)号：CN114188267A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111441345.7
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括：基座组件和支撑结构；基座组件包括有承载盘，承载盘的厚度方向贯穿有多个升降孔；支撑结构包括顶针及限位组件，顶针可活动地穿设于升降孔内；限位组件包括转接件，转接件的顶端与顶针活动连接，并且顶针能沿转接件的径向摆动，转接件的底端用于与一动力源连接，以带动顶针在升降孔内移动，使顶针相对于承载盘的顶面升降。本申请实施例不仅能降低故障率，而且还能大幅提高工艺良率。
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公开(公告)号：CN115295385A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210844756.9
申请日：2022-07-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 黄海涛
Abstract: 本申请公开了一种上电极组件、工艺腔室及半导体处理设备，上电极组件包括导电连接筒，以及与导电连接筒的底端连接的匀气盘；导电连接筒内设有中心进气通道和多个边缘进气通道；匀气盘包括中心通气孔、环绕中心通气孔设置的环形进气通道、环绕环形进气通道设置的环形出气通道，以及多个将环形进气通道和环形出气通道连通的连接通道；中心进气通道与中心通气孔连通；边缘进气通道与环形进气通道连通。本申请中，工艺气体顺着边缘进气通道从环形进气通道进入匀气盘，然后依次通过连接通道和环形出气通道，最终到达晶圆的边缘区域。由于工艺气体映射在晶圆边缘表面的气体分布效果为环形带状分布，分布均匀，从而可以提高晶圆边缘刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN214411135U
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202120510184.1
申请日：2021-03-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开一种半导体工艺设备的反应腔室及半导体工艺设备，所述反应腔室包括下壳体、上壳体和供气结构；所述下壳体与所述上壳体密封连接，围设形成反应空间；所述供气结构包括第一进气件、第二进气件和弹性组件，所述第一进气件设置于所述下壳体，所述第一进气件开设有第一进气孔，所述第二进气件通过所述弹性组件与所述上壳体可移动的连接，所述第二进气件开设有第二进气孔，所述第二进气孔与所述反应空间相连通，所述第一进气件和所述第二进气件弹性抵接，所述第一进气孔和所述第二进气孔相对，且密封连通。上述方案能够解决反应腔室的气体分布不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN215496624U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121517000.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种边缘匀流装置和半导体设备，边缘匀流装置用于对待进入半导体设备的反应腔的工艺气体进行匀流，其包括设有进气孔的第一盖体、与第一盖体对接且固定的第二盖体，和沿第一盖体的轴向夹设于第一盖体和第二盖体之间第一密封圈和第二密封圈；第二盖体与第一盖体之间形成有匀流槽结构，第二盖体设有多个通过匀流槽结构与进气孔连通的送气孔，多个送气孔均用于将经匀流槽结构匀流后的工艺气体导出至反应腔；沿垂直于第一盖体的轴向的方向，第一密封圈和第二密封圈分别设置于进气孔的相背两侧。上述边缘匀流装置的多个边缘孔的气体的流量基本一致，可以提升工艺的均匀性。
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