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公开(公告)号：CN106555159A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510628018.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/02
CPC classification number: C23C14/021
Abstract: 本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加热装置对未加热的基片进行预加热，第二承载装置承载预加热后的基片，第二加热装置对预加热后的基片进行再加热；或者第二承载装置承载未加热的基片，第二加热装置对未加热的基片进行预加热，第一承载装置承载预加热后的基片，第一加热装置对预加热后的基片进行再加热；当前基片的预加热与上一基片的再加热同时进行，当前基片的再加热与下一基片的预加热同时进行。
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公开(公告)号：CN104975257A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410136482.3
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 张伟
IPC: C23C14/02
Abstract: 本发明提供一种调节PIN升降机构水平度的方法，所述PIN升降机构包括一个升降托架、三个顶针和支撑装置，三个所述顶针均安装在所述升降托架上，所述升降托架安装在所述支撑装置上，包括如下步骤：将晶圆放置在升降机构的顶针上；以其中一个所述顶针的高度为基准高度，调节其余两个所述顶针的高度等于所述基准高度。本发明的调节PIN升降机构水平度的方法通过调节顶针的高度来解决晶圆放置时水平度不高的问题，通过对PIN升降机构进行受力分析，得出对顶针或托架的调节变量，并对PIN升降机构进行调节，提高了放置在PIN升降机构上的晶圆的水平度，有利于后续工艺，并且缩短了水平度调节时间，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105990181A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510045397.0
申请日：2015-01-28
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种顶针机构，该顶针机构包括多个顶针、升降托架和升降装置，多个所述顶针间隔地设置在所述升降托架上，所述升降装置的输出轴与所述升降托架相连，其中，所述顶针包括朝向所述升降托架的中部延伸的支撑部和向上延伸的限位部。本发明还提供一种除气腔室。由于顶针包括限位部，因此，在顶针将设置在加热件上的基片顶起时，基片被限制在多个顶针的限位部共同限定的区域内，并且由多个顶针的支撑部共同支撑，因此，基片不会从多个顶针上滑落，位置也不会发生偏移，从而避免了基片被机械手碰碎的风险。
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公开(公告)号：CN104651786B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310583353.4
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种磁控管的磁场强度的调节方法，磁控管包括依次排列的多个磁体组件，磁体组件包括磁体和分别设置在磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，调节方法包括以下步骤：保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。上述调节方法可以使靶材上表面的各区域具有均匀的磁场强度，进而在磁控溅射沉积工艺过程中，使粒子均匀地轰击靶材，这样使靶材在工艺过程中被均匀的腐蚀，从而提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。
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公开(公告)号：CN105441876A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410443115.8
申请日：2014-09-02
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积设备，其包括传输腔室，以及围绕在传输腔室周围的多套功能腔室，且各套功能腔室均与传输腔室对接；并且，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室和多功能腔室，该多功能腔室既用于将被加工工件在传输腔室和大气环境之间传入/传出，又用于对被加工工件进行退火工艺；或者，多套功能腔室中包括工艺腔室、去气腔室、气锁腔室以及用于对被加工工件进行退火工艺的退火腔室。本发明提供的薄膜沉积设备，其无需在设备之外另设单设退火炉，就可以完成退火工艺，从而不仅可以缩短工艺时间，而且还可以降低热预算，进而可以降低设备的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104746002A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310750950.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明涉及遮挡盘传输装置、反应腔室及等离子体加工设备；遮挡盘传输装置包括气缸、承载臂、第一检测装置、第二检测装置、第三检测装置和第四检测装置；承载臂上放置有遮挡盘；气缸固定于反应腔室的腔室壁上，其活塞杆与承载臂连接，用于驱动承载臂作直线往复运动，使遮挡盘到达安全位置或承载装置上方；第一检测装置和第二检测装置沿气缸内活塞的运动行程，在气缸上间隔设置，其用于检测活塞的位置；第三检测装置在竖直方向上与遮挡盘的内沿对应，且对应于承载臂的外侧；第四检测装置在竖直方向上与遮挡盘的外侧对应，且其位于遮挡盘在安全位置和承载装置上方之间的运动路径上。该遮挡盘传输装置的成本更低，且其传输遮挡盘的传输过程更简单。
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公开(公告)号：CN104741915A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310752050.0
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: B23P19/10
CPC classification number: B23P19/12
Abstract: 本发明提供了一种安装辅助工具，用于PVD腔室的基座及PIN结构的安装校准，包括底座、支承机构和传动机构。所述支承机构设置在所述底座上，与所述底座固定连接，用于支撑所述PVD腔室的基座；所述传动机构驱动所述支承机构沿轴向运动，用于将所述PVD腔室的基座调节到与所述PIN结构相匹配的位置。本发明安装辅助工具，使得在PVD腔室的基座及PIN结构的安装过程中，可以提前固定好将PIN结构的位置，保证了安装过程的快速、准确。通过使用该安装辅助工具替代人工进行PVD腔室的基座的安装和定位，简化了PVD腔室的基座及PIN结构安装校准的过程，降低了安装人员的劳动强度。同时，增强了PVD腔室的基座和PIN安装过程的安全性。
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公开(公告)号：CN104733274A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310705296.2
申请日：2013-12-19
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
CPC classification number: H01J37/32 , C23C14/22 , C23C14/35 , H01J37/34 , H01J37/3405
Abstract: 本发明提供一种反应腔室及等离子体加工设备，反应腔室包括透明窗、上盖机构和固定机构，透明窗叠置在反应腔室侧壁的上表面上，上盖机构设置在透明窗的上方，且上盖机构用于打开或者关闭反应腔室，固定机构包括底座和压环，底座和压环均采用环形结构，压环的靠近其环孔的环形部分的下表面叠置在透明窗上表面的边缘区域，底座的靠近其环孔的环形部分的上表面叠置在透明窗下表面的边缘区域，压环与底座相固定，以实现将透明窗固定在压环的靠近其环孔的环形部分的下表面和底座的靠近其环孔的环形部分的上表面之间，并且底座与上盖机构固定连接。本发明提供的反应腔室，可以提高透明窗的使用寿命，从而可以提高经济效益。
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公开(公告)号：CN104658957A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310581074.4
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 张伟
IPC: H01L21/687 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/68785 , H01J37/32009 , H01L21/67011 , H01L21/68764
Abstract: 本发明提供一种顶针机构及等离子体加工设备，该顶针机构包括至少三个顶针和用于支撑顶针的托架，在每个顶针与托架之间设置有弹性部件，弹性部件在压力作用下其高度可在弹性范围内发生变化，并使顶针相对于所述托架的高度发生变化。本发明提供的顶针机构不仅可以提高水平调节精度，这使得可以在一定程度上降低顶针机构的其他部件的加工要求及其装配精度要求；而且可以缩短水平调节时间，从而可以提高工作效率。
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公开(公告)号：CN104746002B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310750950.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明涉及遮挡盘传输装置、反应腔室及等离子体加工设备；遮挡盘传输装置包括气缸、承载臂、第一检测装置、第二检测装置、第三检测装置和第四检测装置；承载臂上放置有遮挡盘；气缸固定于反应腔室的腔室壁上，其活塞杆与承载臂连接，用于驱动承载臂作直线往复运动，使遮挡盘到达安全位置或承载装置上方；第一检测装置和第二检测装置沿气缸内活塞的运动行程，在气缸上间隔设置，其用于检测活塞的位置；第三检测装置在竖直方向上与遮挡盘的内沿对应，且对应于承载臂的外侧；第四检测装置在竖直方向上与遮挡盘的外侧对应，且其位于遮挡盘在安全位置和承载装置上方之间的运动路径上。该遮挡盘传输装置的成本更低，且其传输遮挡盘的传输过程更简单。
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