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公开(公告)号:CN110474525A
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201910775377.7
申请日:2019-08-21
Applicant: 北京华商三优新能源科技有限公司 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种包括碳化硅充电模组的充电装置,包括依次连接的充电设备、滤波器以及电源设备,其中,滤波器包括至少两个级联的滤波单元,任意两个滤波单元的滤波频段不同,充电设备为碳化硅充电模组。上述充电装置的滤波器中包括至少两个滤波单元,且不同的滤波单元的滤波频段不同,这样该滤波器可以至少滤除两个不同频段的电磁干扰,从而使得该滤波器的滤波效果较好,进而保证了该充电装置的滤波效果较好,从而减少充电装置其对外界的电磁干扰。
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公开(公告)号:CN211557135U
公开(公告)日:2020-09-22
申请号:CN201921369992.X
申请日:2019-08-21
Applicant: 北京华商三优新能源科技有限公司 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本申请提供了一种包括碳化硅充电模组的充电装置,包括依次连接的充电设备、滤波器以及电源设备,其中,滤波器包括至少两个级联的滤波单元,任意两个滤波单元的滤波频段不同,充电设备为碳化硅充电模组。上述充电装置的滤波器中包括至少两个滤波单元,且不同的滤波单元的滤波频段不同,这样该滤波器可以至少滤除两个不同频段的电磁干扰,从而使得该滤波器的滤波效果较好,进而保证了该充电装置的滤波效果较好,从而减少充电装置其对外界的电磁干扰。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN106803715A
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201710153310.0
申请日:2017-03-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/16 , H03K17/689
CPC classification number: Y02B70/1483 , H02M1/08 , H02M1/44 , H02M2001/0054 , H03K17/161 , H03K17/689
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅MOSFET的驱动电路,包括隔离模块、驱动模块以及电阻模块,所述隔离模块、驱动模块以及电阻模块依次连接,所述驱动模块的正驱动电压为18V至22V,所述驱动模块的负驱动电压为‑2.5V至‑4.5V;能够提高碳化硅MOSFET的开关速度,减小开关损耗,进而提开关电源工作的开关频率;同时防止了寄生参数引起的碳化硅MOSFET误动作,提高了碳化硅MOSFET工作的可靠性。
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公开(公告)号:CN116540045A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202211424495.1
申请日:2022-11-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件同步Boost型能量回馈老化测试方法包括:测试平台,将前级同步型Boost桥臂电路及后级同步型Buck桥臂电路进行级联;直流电源通过二极管输入到前级同步型Boost桥臂电路,并与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过两个功率电感实现能量在测试平台中的循环流动,减少测试过程中电源的功率输出;设置测试平台的工作模态为A1、B、A2、C四种工作模态,设定被测碳化硅器件的测试工况,实现不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果;将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中,从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响,提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
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公开(公告)号:CN116953458A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202211424483.9
申请日:2022-11-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件同步Buck型能量回馈老化测试方法包括:测试平台,测试平台包括直流电源、电容C、功率电感L、第一桥臂电路以及第二桥臂电路,直流电源的正负极分别连接至电容C的一端部、第一桥臂电路以及第二桥臂电路;第一桥臂电路通过功率电感L连接至第二桥臂电路;直流电源根据测试工况进行设置;通过设置该测试平台的工作模态,并设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流,实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果;测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中,从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响,提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
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公开(公告)号:CN116545262A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202211426722.4
申请日:2022-11-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种全碳化硅全波同步整流的宽增益串联谐振变换器,用于连接直流电压输入端以及直流电压输出端,包括:依次连接的原边半导体功率器件单元、串联谐振槽、矩阵式隔离变压单元以及全波同步整流单元;所述直流电压输入端连接至所述原边半导体功率器件单元;所述直流电压输出端分别连接矩阵式隔离变压单元以及全波同步整流单元;所述矩阵式隔离变压单元的原边绕组串联,分担输入侧电压;副边绕组并联,分担输出侧电流,扩宽变换器的电压增益范围;所述串联谐振槽包括谐振电感和谐振电容,用于使得原边半导体功率器件单元在开通和关断过程中触发串联谐振,实现零电压开关。
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公开(公告)号:CN116953459A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202211424491.3
申请日:2022-11-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件老化测试方法包括:测试平台包括级联的前级同步型Boost桥臂电路和后级同步型Buck桥臂电路;直流电源通过二极管后输入到前级同步型Boost桥臂电路,与后级同步型Buck桥臂电路的输出端相连;直流电源根据测试工况进行设置,测试平台通过电路中功率电感实现能量在测试平台中的循环流动;通过设置该测试平台的工作模态,设定被测碳化硅器件的开关频率、漏源极电压和漏极电流,实现在不同测试工况下加速碳化硅器件的老化,得到老化测试结果;测试平台将碳化硅器件放置于桥臂结构电路中,从而充分考虑了碳化硅器件连续工作情况下串扰对栅氧可靠性影响,提高了对碳化硅器件老化测试结果的精确程度。
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公开(公告)号:CN106849296A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201710153088.4
申请日:2017-03-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
CPC classification number: H02J7/022 , H02J2007/0059 , H02M1/083 , H02M1/088 , H02M3/285 , H02M3/33569 , H02M7/2173 , H02M7/219 , H02M2001/0058 , H02M2001/0067
Abstract: 本发明提供了一种基于碳化硅MOSFET的充电模组,包括AC/DC电路、DC/DC电路以及控制器;所述控制器连接至所述AC/DC电路以及DC/DC电路,所述控制器对DC/DC电路的输出电压进行采样;所述AC/DC电路以及DC/DC电路中的晶体管为碳化硅MOSFET;所述控制器根据DC/DC电路的输出电压控制AC/DC电路的母线电压处于650V至850V;提高充电桩工作效率,并降低成本。
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公开(公告)号:CN114825869A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210251375.X
申请日:2022-03-15
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路,用于驱动晶体管Q1,包括驱动芯片、晶体管Q2、电阻Rg、开通偏置电压VCC以及关断偏置电压VEE;所述驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压VEE的负极,所述驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压VCC的正极,所述驱动芯片的输出端一与驱动芯片的输出端二并联后连接至所述电阻Rg的一端以及晶体管Q2的栅极,所述电阻Rg的另一端分别连接所述晶体管Q1的栅极以及晶体管Q2的源极,所述晶体管Q2的漏极连接至所述关断偏置电压VEE的负极,所述开通偏置电压VCC的负极以及关断偏置电压VEE的正极均连接至所述晶体管Q1的源极,降低电路复杂度。
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公开(公告)号:CN209896914U
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201822048169.0
申请日:2018-12-07
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本实用新型提供了一种用于压载水系统电源电路的DC/DC控制电路,包括电源输入端以及电源输出端,所述DC/DC控制电路分别连接所述电源输入端以及电源输出端,包括DC/DC电路、驱动电路、信号采样电路以及数字信号处理电路;依次连接所述电源输入端、DC/DC电路以及电源输出端,所述驱动电路连接所述DC/DC电路,所述信号采样电路连接所述DC/DC电路;所述数字信号处理电路分别连接所述驱动电路以及信号采样电路;使其在高温环境下稳定工作。
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