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公开(公告)号：CN113725835A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110678585.2
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H02H9/02
Abstract: 一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路，并联支路由电阻和继电器触点串联，并联支路两端与功率开关K1触点两端并联。继电器驱动电路位于功率开关驱动电路的前端，二次母线正端通过限流电阻与继电器开关K2线圈正端相连，继电器开关K2线圈负端直接与驱动信号端相连。功率开关驱动电路采用MOS管驱动电路进行通断控制，采用三极管延时电路进行延时控制，二次母线正端与MOS管s极相连，MOS管d极通过功率开关K1限流电阻与功率开关K1线圈正端相连，功率开关K1线圈负端直接与二次母线负端相连。当驱动信号为闭合指令时，继电器触点先于功率开关触点闭合；当驱动信号为关断指令时，继电器触点先于功率开关触点断开。
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公开(公告)号：CN113725835B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110678585.2
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H02H9/02
Abstract: 一种航天器开关控制通路浪涌电流抑制电路，并联支路由电阻和继电器触点串联，并联支路两端与功率开关K1触点两端并联。继电器驱动电路位于功率开关驱动电路的前端，二次母线正端通过限流电阻与继电器开关K2线圈正端相连，继电器开关K2线圈负端直接与驱动信号端相连。功率开关驱动电路采用MOS管驱动电路进行通断控制，采用三极管延时电路进行延时控制，二次母线正端与MOS管s极相连，MOS管d极通过功率开关K1限流电阻与功率开关K1线圈正端相连，功率开关K1线圈负端直接与二次母线负端相连。当驱动信号为闭合指令时，继电器触点先于功率开关触点闭合；当驱动信号为关断指令时，继电器触点先于功率开关触点断开。
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公开(公告)号：CN113991610B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202111262016.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H02H7/12 , H02H3/24 , H02M3/00 , H02M1/092 , H03K17/795
Abstract: 本发明涉及星载电源开关机使能及欠压锁定电路，包括输入欠压保护电路(1)、开通关机信号隔离检测电路(2)和指令判断及执行电路(3)，所述输入欠压保护电路(1)和所述开通关机信号隔离检测电路(2)的输出端均与所述指令判断及执行电路(3)的输入端连接。本发明的星载电源开关机使能及欠压锁定电路具有电路简单、功耗小、体积小、重量轻的特点。
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公开(公告)号：CN118260879A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410314072.7
申请日：2024-03-19
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种基于仿真的真空汽相焊接参数优化方法，包括：(1)建立气相焊仿真几何模型；(2)确定气相液密度；(3)设置温度场仿真关键参数；(4)设置相变：设置气相液的相变潜热，包括潜热值和相变温度，数值根据添加的气相液型号和参数决定；(5)仿真计算：在建立好的气相焊仿真几何模型基础上开展仿真计算，并得到焊接时样件的实际温度，提取引脚位置的实际温度曲线，将实际温度曲线与参考温度曲线对比；(6)优化：根据仿真计算结果对实际参数进行优化，通过迭代得到最佳的实际设置参数。本发明采用仿真结合实验的方法，建立仿真和实际设置参数间的关系，用仿真参数指导实际参数设置。
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公开(公告)号：CN116184094A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310332575.2
申请日：2023-03-30
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Inventor： 张宇环 , 刘密 , 马涛 , 井元良 , 贠磊 , 郑雪松 , 梅博 , 吕贺 , 谢鹏飞 , 桂鹏 , 高逸飞 , 王楚 , 王晓晓 , 李海波 , 韩建超 , 李廷中 , 纪志坡 , 郭传伟 , 陈永刚 , 焦景勇 , 王文强 , 张洪伟 , 单晓锋 , 李炎 , 陈广军 , 贾洪波 , 王楠 , 穆城 , 汪哲 , 朱博威
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种宇航用脉宽调制类元器件的验证方法及系统，其中，该方法包括：元器件级验证；其中，元器件级验证包括功能性能验证、极限试验验证、寿命试验验证和辐照试验验证；板级验证；其中，板级验证包括板卡功能验证、电气环境适应性验证、热学环境适应性验证和工艺装联适应性验证；单机级验证；其中，单机级验证包括基本功能性能验证、应用可靠性验证和环境适应性验证；系统级验证；其中，系统级验证包括接口匹配性验证。本发明可以全面的对脉宽调制类器件进行验证，对于脉宽调制类器件的验证具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242671A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111442707.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/10 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种IGBT电气单元封装件。本发明提供的IGBT电气单元封装件包括：散热底板、外壳、盖板和IGBT电气单元，本发明中散热底板采用52％‑58％体积分数的AlSiC复合材料，IGBT电气单元封装件采用AlN陶瓷直接覆铜基板，绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片与陶瓷直接覆铜基板之间连接采用纳米Ag焊膏低压烧结工艺。本发明中的IGBT电气单元封装件采用具有高气密性的封装结构，保证该IGBT电气单元封装件在高海拔应用场景如安装在运输机、战斗机上时，不会发生由于气压降低导致IGBT电气单元封装件内部耐压能力下降的情况，保证IGBT电气单元封装件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114172358A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111351698.8
申请日：2021-11-16
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
Abstract: 本发明涉及星载电源技术领域的一种星载二次电源单粒子瞬态抑制电路，包括：功率变换单元(103)；脉宽调制单元(102)，所述脉宽调制单元(102)的输出端与所述功率变换单元(103)连接；单粒子瞬态抑制单元(101)，所述单粒子瞬态抑制单元(101)与所述脉宽调制单元(102)的缓启端连接。本发明可有效解决星载二次电源因单粒子效应而产生的载荷供电瞬态中断或异常的问题。
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公开(公告)号：CN114188129B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111368699.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/061 , H01F41/064 , H01F41/076 , H01F41/12
Abstract: 本发明涉及一种变压器及其制备方法，变压器包括架体(1)、线式绕组(2)和磁芯(3)，所述架体(1)包括支承框(11)和底座(12)，所述线式绕组(2)绕制在所述支承框(11)上，还包括片式绕组(4)，所述片式绕组(4)套设在所述线式绕组(2)的外侧。本发明可以提高电源产品的效率和空间利用率。
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公开(公告)号：CN114188129A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111368699.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H01F27/26 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H01F27/30 , H01F27/32 , H01F27/34 , H01F41/02 , H01F41/061 , H01F41/064 , H01F41/076 , H01F41/12
Abstract: 本发明涉及一种变压器及其制备方法，变压器包括架体(1)、线式绕组(2)和磁芯(3)，所述架体(1)包括支承框(11)和底座(12)，所述线式绕组(2)绕制在所述支承框(11)上，还包括片式绕组(4)，所述片式绕组(4)套设在所述线式绕组(2)的外侧。本发明可以提高电源产品的效率和空间利用率。
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公开(公告)号：CN113991610A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111262016.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 北京卫星制造厂有限公司
IPC: H02H7/12 , H02H3/24 , H02M3/00 , H02M1/092 , H03K17/795
Abstract: 本发明涉及电源开关机使能及欠压锁定装置，包括输入欠压保护电路(1)、开通关机信号隔离检测电路(2)和指令判断及执行电路(3)，所述输入欠压保护电路(1)和所述开通关机信号隔离检测电路(2)的输出端均与所述指令判断及执行电路(3)的输入端连接。本发明的装置具有电路简单、功耗小、体积小、重量轻的特点。
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