一种高可靠IGBT模块芯片互连方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113972168A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111188897.1

    申请日:2021-10-12

    Abstract: 本发明涉及半导体芯片微组装技术领域的一种高可靠IGBT模块芯片互连方法,包括:a、在IGBT模块的互连区域设计加工相适配的金属片状互连单元,对所述金属片状互连单元的焊接部分做搪锡处理,并进行清洗;b、根据所述互连区域的尺寸裁剪焊料片、压平,并做等离子清洗处理;c、将所述金属片状互连单元、所述焊料片和所述互连区域依次对准并固定;d、采用焊接设备将所述金属片状互连单元将所述互连区域相连。本发明克服IGBT模块中IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间通过粗铝丝键合互连方式的不足,以满足IGBT芯片‑FRD芯片‑DBC基板之间的高可靠连接。

    一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法

    公开(公告)号:CN109545773A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811394285.6

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法,本发明提出了更先进的表面互连技术替代传统的引线键合,着力解决铝丝键合由于热失配、金属间化合物的生长导致的导电性能和键合强度下降等问题,实现更具低阻抗值、较高导热性和寿命更长的互连技术;柔性铜箔和功率芯片表面接触面积增大,有效的提高芯片表面热量的均匀分布情况,减小芯片表面热点的出现,同时载流能力比引线键合工艺提高30%;大功率芯片低损耗柔性电路互连技术,对于推动早日实现新一代遥感公用平台及高分辨率对地观测卫星的部署、推动宽禁带半导体器件在宇航电子产品中的早日应用具有重要意义,同时也将为商用功率模块性能的不断提升提供借鉴。

    一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法

    公开(公告)号:CN109545773B

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN201811394285.6

    申请日:2018-11-21

    Abstract: 本发明涉及一种大功率芯片柔性互连模块及加工方法,本发明提出了更先进的表面互连技术替代传统的引线键合,着力解决铝丝键合由于热失配、金属间化合物的生长导致的导电性能和键合强度下降等问题,实现更具低阻抗值、较高导热性和寿命更长的互连技术;柔性铜箔和功率芯片表面接触面积增大,有效的提高芯片表面热量的均匀分布情况,减小芯片表面热点的出现,同时载流能力比引线键合工艺提高30%;大功率芯片低损耗柔性电路互连技术,对于推动早日实现新一代遥感公用平台及高分辨率对地观测卫星的部署、推动宽禁带半导体器件在宇航电子产品中的早日应用具有重要意义,同时也将为商用功率模块性能的不断提升提供借鉴。

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