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公开(公告)号:CN119181676A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411300999.1
申请日:2024-09-18
Applicant: 北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种无基板直冷式功率模块,包括:导体散热器,导体散热器的顶面为安装面;功率芯片,设置于导体散热器的安装面,功率芯片的底面设有漏极电极,功率芯片的顶面两端分别设有源极电极和栅极电极,功率芯片的漏极电极与导体散热器的安装面之间通过第一焊层连接;漏极引出结构,与导体散热器连接,用于漏极电极的电性引出;源极引出结构,与源极电极连接,用于源极电极的电性引出;栅极引出结构,与栅极电极连接,用于栅极电极的电性引出;塑封体,包覆功率芯片、漏极引出结构、源极引出结构、栅极引出结构和导体散热器。本发明能够降低功率模块的热阻,提高散热效率,并降低模块寄生电感和电阻。
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公开(公告)号:CN119764272A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411820887.9
申请日:2024-12-11
Applicant: 北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司
IPC: H01L23/44 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种冷却油回转汇聚式功率模块浸没散热结构,包括:壳体,壳体包括底壁、顶壁、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁及其围成的空腔,第一侧壁的底部和顶部分别设有第一开孔和第二开孔,第一开孔和第二开孔的其中之一为冷却油入口,另一个为冷却油出口;空腔内的底部设有液冷散热器,液冷散热器上设有基板,基板上设有功率半导体芯片和引流结构;功率半导体芯片的底面与基板顶面连接,功率半导体芯片的顶面和侧面暴露于空腔内;引流结构位于功率半导体芯片的两侧,用于将冷却油汇聚至功率半导体芯片的侧面和顶面,对功率半导体芯片的顶面和侧面进行散热。本发明能够实现对功率半导体芯片底面、顶面、侧面的散热,提升散热效率。
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公开(公告)号:CN119764271A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411820885.X
申请日:2024-12-11
Applicant: 北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司
IPC: H01L23/44 , H01L23/473 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种冷却油直流汇聚式功率模块浸没散热结构,包括:壳体,壳体包括底壁、顶壁、第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁及其围成的空腔,第一侧壁设有进油孔,第二侧壁设于出油孔;空腔内的底部设有液冷散热器,液冷散热器上设有基板,基板上设有功率半导体芯片和引流结构;功率半导体芯片的底面与基板顶面连接,功率半导体芯片的顶面和侧面暴露于空腔内;引流结构位于功率半导体芯片的两侧,用于将冷却油汇聚至功率半导体芯片的侧面和顶面,对功率半导体芯片的顶面和侧面进行散热。本发明能够实现对功率半导体芯片底面、顶面、侧面的散热,提升散热效率。
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