公开(公告)号：CN1911588A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200510090092.8

申请日：2005-08-12

Applicant: 北京国科世纪激光技术有限公司

Inventor： 樊仲维 ,  裴博 ,  边强 ,  赵剑波 ,  石朝晖 ,  崔建丰 ,  张晶 ,  牛岗 ,  王裴峰

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/067 ,  B23K26/06

Abstract: 本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。

公开(公告)号：CN100551602C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510090092.8

申请日：2005-08-12

Applicant: 北京国科世纪激光技术有限公司

Inventor： 樊仲维 ,  裴博 ,  边强 ,  赵剑波 ,  石朝晖 ,  崔建丰 ,  张晶 ,  牛岗 ,  王裴峰

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/067 ,  B23K26/06

Abstract: 本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。

公开(公告)号：CN2845176Y

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200520104285.X

申请日：2005-08-23

Applicant: 北京国科世纪激光技术有限公司

Inventor： 樊仲维 ,  裴博 ,  边强 ,  赵剑波 ,  石朝晖 ,  崔建丰 ,  张晶 ,  牛岗 ,  王裴峰

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/302

Abstract: 本实用新型公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工装置。该装置采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本实用新型具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。