公开(公告)号：CN102710122A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210184066.1

申请日：2012-06-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极与源极的电压差，使开关导通时PMOS栅压为零，从而减小导通时的电压损失并提高PMOS导通性能，从而增强开关泵送电荷能力。

公开(公告)号：CN103337253A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310206577.3

申请日：2013-05-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋峰 ,  李秀红 ,  龙云 ,  高滨 ,  陈冰

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种RRAM逻辑器件的级联方法，包括以下步骤：S1、对RRAM器件施加电压信号，使得RRAM器件处于高阻态；S2、利用恒流源读取所述RRAM器件的阻值，并得到RRAM器件的放大电压；S3、将所述RRAM器件的放大电压进行压缩,使其转换成和所述电压信号相对应的压缩电压;并将所述压缩电压传递到下一级RRAM器件；本发明解决了RRAM器件间连接并进行信号传递的问题，为RRAM成为新的逻辑器件提供必要的支持，本发明还提供一种RRAM逻辑器件的级联系统。

公开(公告)号：CN102751867B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201210239819.4

申请日：2012-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力，减小了电压损失，从而提高了输出电压，减小了电压上升时间，提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率，同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。

公开(公告)号：CN102710122B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201210184066.1

申请日：2012-06-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种正高压电荷泵，包括多级串联的电荷泵电路，以及一级输出电路，所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接。本发明通过增加辅助电路降低电荷泵电路中PMOS栅极电压，提高其栅极与源极的电压差，使开关导通时PMOS栅压为零，从而减小导通时的电压损失并提高PMOS导通性能，从而增强开关泵送电荷能力。

公开(公告)号：CN103257848A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310206696.9

申请日：2013-05-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋峰 ,  龙云 ,  李秀红 ,  高滨 ,  陈冰

IPC: G06F9/30

Abstract: 本发明提供一种基于阻变存储器的编码方法及编码器，包括以下步骤：S1、将n种建立电压加到阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行set操作，使得所述阻变存储器置于n种低阻态，其中，n≥2；S2、将m种复位电压加到所述阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行reset操作，使得所述n种低阻态分别形成m种高阻态，并将所述n×m种高阻态输出，其中，m≥2；本发明代替了传统的CMOS，实现了复杂编码的功能，本发明还提供一种基于阻变存储器的编码器。

公开(公告)号：CN102751867A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210239819.4

申请日：2012-07-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  丁健平 ,  高晓敏 ,  黄鹏 ,  杜刚 ,  康晋峰 ,  张兴

IPC: H02M3/07

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种PMOS正高压电荷泵。本发明的电荷泵采用新型结构，保存原有PMOS开关电荷泵的同时，增加PMOS开关电荷泵栅极控制辅助支路，降低了传输辅助支路中PMOS开关管栅极电压，提高了传输辅助支路中PMOS管电荷导通能力，减小了电压损失，从而提高了输出电压，减小了电压上升时间，提高了电路整体电压上升阶段电压的斜率，同时很好地减小了由栅极控制辅助支路直接控制传输主支路中PMOS管栅极时存在的较大反向电流。