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公开(公告)号：CN103490769B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN103794618A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210434899.9
申请日：2012-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请公开了一种双极阻变存储器件，包括阻变元件，包括阻变材料层和与阻变材料层接触的至少一个电极，以及反向二极管，包括相反导电类型的两个掺杂区，在两个掺杂区之间的界面上形成pn结，其中，反向二极管与阻变元件串联连接。该双极阻变存储器件利用反向二极管作为访问存储器件的双向开关，并且可以抑制串扰。
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公开(公告)号：CN103778468A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410021568.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提供一种神经网络电路，其特征在于，包括：若干个传感器、若干个第一层神经元支路以及第二层神经元支路。每个第一层神经元支路包括：若干个RRAM器件以及第一层神经元。所述传感器用于将图片的颜色转换为电压信号，并将此电压信号传输给所述RRAM器件；所述RRAM器件根据接收到的电压信号产生电流信号，并传输至所述第一层神经元；所述第一层神经元用于对接收到的电流信号进行求和，若神经元被激活，则向后级发射电压脉冲。第二层神经元支路包括权重RRAM器件以及第二层神经元，所述权重RRAM器件将所述第一层神经元与所述第二层神经元连接起来；所述第二层神经元用于汇总若干个所述第一层神经元的电流信号，然后通过运算产生最后的判断结果。
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公开(公告)号：CN103762973A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310741039.4
申请日：2013-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/0944
Abstract: 本发明提供一种基于RRAM的可调幅脉冲产生电路及调节其脉冲幅度的方法，包括顺序连接的一个积分器和一个微分器，其特征在于，所述积分器中的输入电阻为一个带有阻值调节电路的第一RRAM，所述微分器中的反馈电阻为一个带有阻值调节电路的第二RRAM。本发明通过利用RRAM多阻态的特点实现了一种可调幅脉冲产生电路，并且可以在任意时刻对产生脉冲的幅度进行修改，通过利用RRAM作为逻辑器件，进一步拓宽了RRAM的应用领域。
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公开(公告)号：CN102683583B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110062624.2
申请日：2011-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底；位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极；由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极；位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层，其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成；在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层，其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103501181A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310460273.X
申请日：2013-09-30
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种模数转换装置及模数转换方法。该模数转换装置包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电流信号，并对模拟电流信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电流信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；所述数据采样保持单元包括阻变存储器。本发明利用阻变存储器实现模数转换过程中的数据存储(或称为保持)，实验表明，数据保持时间可以长达10年，因此能够保证数据的可靠性，从而也保证了模数转换装置的工作可靠性。另外，本发明的装置结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN103490769A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN103337253A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310206577.3
申请日：2013-05-29
Applicant: 北京大学
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种RRAM逻辑器件的级联方法，包括以下步骤：S1、对RRAM器件施加电压信号，使得RRAM器件处于高阻态；S2、利用恒流源读取所述RRAM器件的阻值，并得到RRAM器件的放大电压；S3、将所述RRAM器件的放大电压进行压缩,使其转换成和所述电压信号相对应的压缩电压;并将所述压缩电压传递到下一级RRAM器件；本发明解决了RRAM器件间连接并进行信号传递的问题，为RRAM成为新的逻辑器件提供必要的支持，本发明还提供一种RRAM逻辑器件的级联系统。
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公开(公告)号：CN102073004B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200910241544.6
申请日：2009-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种用于测试半导体器件可靠性的方法，其中所述半导体器件具有负偏置温度不稳定性NBTI，包括以下步骤：测量第一组半导体器件的NBTI曲线；在将第一组半导体器件偏置于栅电场的条件下，测量第一组半导体器件在预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第一组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；在将第二组半导体器件偏置于所述栅电场的条件下，测量第二组半导体器件在所述预定频率下的1/f噪声功率谱密度和漏电流；测量第二组半导体器件的栅介质的等效氧化层厚度；以及利用第一组半导体器件的NBTI曲线来评估第二组半导体器件的退化特性。该方法节省了对大量半导体器件进行可靠性测试所需的时间，并且不会对第二组半导体器件造成破坏。
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