公开(公告)号：CN115692445A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211353169.6

申请日：2022-10-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 周正 ,  李嘉琦 ,  于贵海 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  黄鹏

IPC: H01L27/146 ,  G06N3/0464

Abstract: 本公开是一种互补光电晶体管像素单元、感算阵列结构及其操作方法。该互补光电晶体管像素单元包括：第一光电场效应晶体管，为基于超薄体和隐埋氧化层的光电场效应晶体管；以及第二光电场效应晶体管，为基于超薄体和隐埋氧化层的光电场效应晶体管，且该第二光电场效应晶体管的类型不同于该第一光电场效应晶体管的类型；其中，该第一光电场效应晶体管和该第二光电场效应晶体管均为四端器件，具有栅极G、源极S、漏极D和阱基极B，该第一光电场效应晶体管的源极S或漏极D与该第二光电场效应晶体管的源极S或漏极D相连接。利用本公开，能够简化阵列结构和操作方法的复杂度，提高运算并行度，满足复用运算矩阵的需求。

公开(公告)号：CN116647764A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310326100.2

申请日：2023-03-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 周正 ,  李嘉琦 ,  于贵海 ,  刘晓彦 ,  康晋锋 ,  黄鹏

IPC: H04N25/571 ,  H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种像素单元结构的操作方法、装置、设备及介质，其中，该像素单元结构的操作方法包括：确定像素单元结构的初始态；基于初始态，根据设定曝光操作规则对像素单元结构执行N个连续的子曝光操作，其中N为正整数，且N≥2；以及响应于N个连续的子曝光操作，读出像素单元结构的输出电流。因此，可以大幅优化如UTBB图像传感器的像素单元结构的光强响应曲线，显著改善其拍摄图像时的细节、层次、特征。