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公开(公告)号：CN114383739B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210058065.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光波长测量装置及方法，包括工作台，所述工作台顶部中心安装有原子气室，且工作台中心两侧安装有磁场系统，工作台顶部一侧固定连接有温控系统，且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆，本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量，通过调节的磁场的大小，改变原子在磁场的能级分裂值，从而改变原子跃迁频率，继而改变滤光器的滤过频率，即通过滤光器的频率可调，在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下，通过该滤光器的激光频率同样对比得出，有利于测量不同频率的激光，同时该种设备方法的测量精度高，波长精度可达0.001nm，并且本发明的设备简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN115666191A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211012677.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了提高钙钛矿太阳能电池器件稳定性的方法，包括以下步骤：步骤一，设计电池结构；步骤二，制备阴极；步骤三，制备电子传输层；步骤四，制备钙钛矿吸光层；步骤五，制备h‑BN保护层；步骤六，制备空穴传输层；步骤七，制备金属阳极；所述步骤二中，FTO导电玻璃的形状为1.5×2cm的方块，电阻为9‑10Ω，透光率为90％以上；本发明相较于现有的钙钛矿太阳能电池，通过将生长在衬底上的单层或多层的h‑BN二维材料进行图形化处理，然后采用干法转移的方式将其转移到钙钛矿薄膜表面，可以确保h‑BN薄膜完全且均匀的覆盖钙钛矿吸光层，从而有效地隔绝钙钛矿材料和空气中氧和水的接触，因而可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN115274836A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210766713.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN117038702A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310888993.X
申请日：2023-07-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件，包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极，源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置，且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位，源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力，同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff，从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的，本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸，延续摩尔定律的生命具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114383739A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210058065.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光测量装置及方法，包括工作台，所述工作台顶部中心安装有原子气室，且工作台中心两侧安装有磁场系统，工作台顶部一侧固定连接有温控系统，且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆，本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量，通过调节的磁场的大小，改变原子在磁场的能级分裂值，从而改变原子跃迁频率，继而改变滤光器的滤过频率，即通过滤光器的频率可调，在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下，通过该滤光器的激光频率同样对比得出，有利于测量不同频率的激光，同时该种设备方法的测量精度高，波长精度可达0.001nm，并且本发明的设备简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN102832111A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210328185.X
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳电池转换效率的方法。通过适度低剂量伽玛射线辐照促使太阳电池p-n结区中过渡金属杂质向p-n结附近缺陷区扩散并沉淀，且帮助那些不处于太阳电池材料晶格中代位位置的施主或受主杂质原子进入代位位置，从而获得转换效率提高的太阳电池。太阳电池转换效率的提升率取决于p-n结附近缺陷区和适度低剂量伽玛射线辐照的具体情况。由于不同太阳电池之间有很大差异，对于一些太阳电池，其p-n结附近原有的缺陷区加上适度低剂量伽玛射线辐照就可使其转换效率明显提高；而对于另一些太阳电池，必须更新p-n结附近的缺陷区，结合适度低剂量伽玛射线辐照，增加太阳电池转换效率的提升率。
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公开(公告)号：CN103794473B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410041978.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区中的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质浓度。相比于现有的硅材料吸杂方法，该方法在室温下进行，因而不仅可用于硅晶片还可用于硅器件吸杂，且该方法不限于单晶或多晶硅片及硅器件，也适用于其它半导体材料（如锗）和相应器件。
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公开(公告)号：CN102832111B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210328185.X
申请日：2012-09-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高太阳电池转换效率的方法。通过适度低剂量伽玛射线辐照促使太阳电池p-n结区中过渡金属杂质向p-n结附近缺陷区扩散并沉淀，且帮助那些不处于太阳电池材料晶格中代位位置的施主或受主杂质原子进入代位位置，从而获得转换效率提高的太阳电池。太阳电池转换效率的提升率取决于p-n结附近缺陷区和适度低剂量伽玛射线辐照的具体情况。由于不同太阳电池之间有很大差异，对于一些太阳电池，其p-n结附近原有的缺陷区加上适度低剂量伽玛射线辐照就可使其转换效率明显提高；而对于另一些太阳电池，必须更新p-n结附近的缺陷区，结合适度低剂量伽玛射线辐照，增加太阳电池转换效率的提升率。
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公开(公告)号：CN103794473A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410041978.2
申请日：2014-01-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/322 , H01L21/2636 , H01L21/3221
Abstract: 本发明公开了一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区中的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质浓度。相比于现有的硅材料吸杂方法，该方法在室温下进行，因而不仅可用于硅晶片还可用于硅器件吸杂，且该方法不限于单晶或多晶硅片及硅器件，也适用于其它半导体材料（如锗）和相应器件。
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