-
公开(公告)号：CN114093947B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202111250922.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/423
Abstract: 一种基于MOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量效应的方法属于抗辐照半导体技术领域。本发明至少包括两种新型MOS器件结构和一种新型电路结构，能够大幅度增强LDMOS器件的抗辐照性能。本发明针对星载LDMOS在总剂量效应作用下产生的阈值漂移甚至是器件失效，提出在LDMOS栅极添加辅助栅极以共同构成复合栅极，再通过旁置的浮栅MOS来引入外部负压源。当总剂量效应使得LDMOS栅氧化层中积累一定量的正电荷后，通过浮栅MOS检测LDMOS阈值漂移程度，且其自身与外部负压源共同向LDMOS辅助栅极引入负电荷来抑制LDMOS的阈值漂移，并在LDMOS阈值回归正常范围后停止该过程，总体上达到将LDMOS阈值控制在合理范围内的效果。本发明可提高集成电路的抗辐照能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114093947A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111250922.4
申请日：2021-10-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/423
Abstract: 一种基于MOS器件内栅电荷补偿的抗总剂量效应的方法属于抗辐照半导体技术领域。本发明至少包括两种新型MOS器件结构和一种新型电路结构，能够大幅度增强LDMOS器件的抗辐照性能。本发明针对星载LDMOS在总剂量效应作用下产生的阈值漂移甚至是器件失效，提出在LDMOS栅极添加辅助栅极以共同构成复合栅极，再通过旁置的浮栅MOS来引入外部负压源。当总剂量效应使得LDMOS栅氧化层中积累一定量的正电荷后，通过浮栅MOS检测LDMOS阈值漂移程度，且其自身与外部负压源共同向LDMOS辅助栅极引入负电荷来抑制LDMOS的阈值漂移，并在LDMOS阈值回归正常范围后停止该过程，总体上达到将LDMOS阈值控制在合理范围内的效果。本发明可提高集成电路的抗辐照能力。
-
公开(公告)号：CN113224149B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110509714.5
申请日：2021-05-11
Applicant: 北京工业大学 , 深圳吉华微特电子有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。本发明的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件通过设置沟道二极管多晶硅栅，显著提高了反向恢复特性且降低了栅电荷特性，提升了开关特性同时使得功率损耗大大降低。
-
公开(公告)号：CN113224149A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110509714.5
申请日：2021-05-11
Applicant: 北京工业大学 , 深圳吉华微特电子有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件，包括发射极金属电极、栅极氧化物、IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅，所述发射极金属电极包括连接部及两个凸起部，所述连接部呈平板型，两所述凸起部一体成型于连接部的两端且两凸起部位于栅极氧化物的两端，所述栅极氧化物设置在连接部与两个凸起部之间并分别与连接部与两个凸起部连接，所述IGBT多晶硅栅及沟道二极管多晶硅栅设置在栅极氧化物的表面且间隔设置。本发明的新型的具有内嵌沟道二极管的逆导型IGBT器件通过设置沟道二极管多晶硅栅，显著提高了反向恢复特性且降低了栅电荷特性，提升了开关特性同时使得功率损耗大大降低。
-
公开(公告)号：CN113193042A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110469803.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 北京工业大学 , 深圳吉华微特电子有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及MOS管结构技术领域，尤其涉及一种具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构，包括沟道二极管多晶硅、MOSFET栅极多晶硅及对称设置的第一栅氧化层与第二栅氧化层，所述沟道二极管多晶硅设置在第一栅氧化层内，所述MOSFET栅极多晶硅设置在第二栅氧化层内，所述沟道二极管多晶硅朝向MOSFET栅极多晶硅所对应的第一栅氧化层的厚度D1小于MOSFET栅极多晶硅朝向沟道二极管多晶硅所对应的第二栅氧化层的厚度D2。本发明的具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构具有较小的反向开启电压，优化了反向电流震荡的问题，有利于解决目前SGTMOS技术的反向恢复能力较弱的技术问题，同时提升了产品的效率性，相较于并联体外二极管的方式，也降低了电路的复杂程度及生产成本。
-
公开(公告)号：CN217689279U
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202220247832.3
申请日：2022-01-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于单粒子试验的电应力偏置装置属于半导体器件技术领域。本实用新型提出的装置主要通过固定内侧负责测试电路功能的同心圆PCB，与外侧可通过步进电机控制转动的同心圆PCB接触，实现了一次单粒子试验装置放置后可进行多组试验的目的，结合双工位系统，减小了用于更换器件的无效时间，大大提升了测试效率，有效解决了传统测试装备耗时耗力耗财的问题。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
