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公开(公告)号：CN101215628A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810056010.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C21D9/38
Abstract: 高速钢复合轧辊热处理方法属于轧钢技术领域。本发明首先将轧辊进行退火处理，退火温度：870－890℃，保温时间：6－10小时。再在50Hz/250Hz双频淬火机床上进行感应淬火，轧辊在感应淬火前进行预热处理，预热温度280－350℃，预热保温时间6－10小时。淬火加热时，轧辊需要旋转和沿轴向垂直下移。轧辊加热后快速水冷，然后在520－560℃进行第一次回火处理，回火保温时间4－6小时，随后空冷。再将轧辊重新加热至500－540℃进行第二次回火处理，回火保温时间6－8小时，然后炉冷至小于200℃后空冷。本发明热处理工艺处理高速钢复合轧辊，工艺简便，能耗低，生产周期短，轧辊强度高，使用效果好，推广应用具有很好的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN120018526A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510185354.6
申请日：2025-02-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种具有抗单粒子能力的超结型/半超结型SiC肖特基二极管，自上而下依次包括：阳极肖特基金属、P‑plus区、线性渐变P型柱、N‑漂移区、N+线性渐变缓冲层、N+衬底区和阴极金属。其中超结型结构的线性渐变P型柱贯穿整个漂移区至N+线性渐变缓冲层，而半超结型结构的线性渐变P型柱仅位于N‑漂移区上部。倒梯形P型柱采用线性渐变掺杂，与N+线性渐变缓冲层共同构建了多层次的电场调制机制。线性渐变掺杂与线性渐变缓冲层的引入确保了电场强度的连续过渡，避免了传统突变结构中的局部电场尖峰问题，显著提升了器件的击穿特性和抗单粒子能力。器件结构简单且具有更好的成本优势，适用于航天电源系统等极端辐射环境应用。
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公开(公告)号：CN116314333A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310263723.X
申请日：2023-03-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种集成肖特基超势垒二极管的沟槽型SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属、N+衬底区、N‑漂移区、电流扩展层、P‑base区；P‑plus区，N‑source区均位于所述P‑base区预设区域的上表面，并相互并排，N‑source区位于左侧；栅极沟槽贯穿N‑source区、P‑base区，与电流扩展层接触，栅氧位于栅极沟槽内部；肖特基超势垒二极管沟槽贯穿P‑base区，与电流扩展层接触，肖特基超势垒二极管氧化层位于肖特基超势垒二极管沟槽内部。本发明有效抑制双极退化效应，使器件的功耗大大降低,还具有优秀的栅电荷特性、电容特性、反向恢复特性，以及较高的雪崩能力及短路能力的特点。
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公开(公告)号：CN101215628B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810056010.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C21D9/38
Abstract: 高速钢复合轧辊热处理方法属于轧钢技术领域。本发明首先将轧辊进行退火处理，退火温度：870-890℃，保温时间：6-10小时。再在50Hz/250Hz双频淬火机床上进行感应淬火，轧辊在感应淬火前进行预热处理，预热温度280-350℃，预热保温时间6-10小时。淬火加热时，轧辊需要旋转和沿轴向垂直下移。轧辊加热后快速水冷，然后在520-560℃进行第一次回火处理，回火保温时间4-6小时，随后空冷。再将轧辊重新加热至500-540℃进行第二次回火处理，回火保温时间6-8小时，然后炉冷至小于200℃后空冷。本发明热处理工艺处理高速钢复合轧辊，工艺简便，能耗低，生产周期短，轧辊强度高，使用效果好，推广应用具有很好的经济和社会效益。
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