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公开(公告)号：CN109529883B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201811343344.7
申请日：2018-11-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种激光液相烧蚀制备CdS/C复合纳米材料的制备方法，该方法为将激光器发出的激光经反射照射在CdS靶材上，所用靶材置于异丙醇石墨烯量子点溶液中。所使用的靶材为陶瓷靶，所使用的激光器为YAG调Q激光器，所使用的石墨烯量子点为发红光石墨烯量子点。该制备方法工艺操作简单易行，制备周期短，在制备过程中不引入杂质。制备出的CdS/C复合纳米材料有着较好的光催化降解性能。
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公开(公告)号：CN107639862B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201711093999.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B29C71/04 , B29C71/00 , B29C64/379 , B33Y40/00
Abstract: 一种激光辐照调控PA2200材料3D打印件表面浸润性的方法，属于激光加工、3D打印技术及医疗应用领域。激光辐照法具有可以精确处理成型件表面、控制加工面积和深度、非接触无污染和不会引入杂质离子等优点。本发明是通过以下装置实现的：沿着激光器的激光传输方向依次放置激光器、复眼均束镜、透镜、样品台。本发明利用制备PA2200材料3D打印件，采用波长为248nm的KrF准分子激光，设计光路得到激光辐照光斑面积1‑2.7cm2，设定激光器的单脉冲能量密度37‑259mJ/cm2，频率2‑5Hz，脉冲数200‑500对PA2200材料3D打印件进行辐照。经过激光辐照后，打印件表面接触角由120°变为70°，由疏水性转变为亲水性，有效、快速的调控PA3200材料3D打印件表面浸润性。
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公开(公告)号：CN104659174B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510065338.X
申请日：2015-02-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2‑0.6J/cm2，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。
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公开(公告)号：CN103756671B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410015279.0
申请日：2014-01-13
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/54 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/259
Abstract: 本发明涉及一种增强发光薄膜光致荧光发光强度的三明治结构及制备方法，该三明治结构为微米透明介电小球单层密铺于发光薄膜表面形成的衬底—发光薄膜—单层密铺小球阵列的三明治结构；所使用的微米介电小球要对光致荧光发光中激发光和荧光波长具有较高的透射率；所使用的荧光增强媒介—微米级透明介电小球的价格低廉，适合工业规模化应用；所使用的微米透明介电小球在空气环境下无氧化，可长期稳定地增强发光薄膜光致荧光发光强度；所使用的微米透明介电小球对发光薄膜及衬底没有要求，衬底可为非金属或金属，有效地扩展了发光薄膜光致荧光发光增强技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN103551734B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310518304.2
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36 , B23K26/402
Abstract: 一种使PTFE或FEP表面同时具备超疏水及水下高反光性质的方法属于激光加工领域。本方法利用1064nm皮秒激光微加工系统在PTFE、FEP表面加工出25μm缝宽的一维或二维沟槽阵列，使得其表面产生超疏水性，若将制备后的超疏水样品完全浸入水中，超疏水表面会呈现金属光泽高反光表面。本发明操作步骤如下：调节皮秒激光光路；利用专业软件绘制出加工路径；根据加工要求调整皮秒激光输出功率；当激光功率满足要求后，输出皮秒脉冲激光进行加工；加工完成后，无需后续清洗即可达到超疏水要求，制成品浸入水中可直接出现类金属高反光表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104659174A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510065338.X
申请日：2015-02-08
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02002 , H01L21/322 , H01L33/00
Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2-0.6J/cm2，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。
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公开(公告)号：CN116359914A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310145456.6
申请日：2023-02-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S13/88 , H04B10/548 , G01S7/02
Abstract: 一种片上集成的微波光子相位编码信号生成系统涉及微波光子技术领域。系统包含激光器、功分器、射频RF开关、90°混合耦合器HC、双平行双偏振马赫‑曾德尔调制器DP‑DPMZM、偏振相关级联相位调制器PDC‑PM、偏振光片、掺铒光纤放大器和光电探测器。本方法将本振LO信号通过功分器分成两部分，其中一部分输入到X‑DPMZM中，获得LO信号的载波抑制+1阶边带。另一部分由RF开关控制，当RF开关断开时，Y‑DPMZM仅输出光载波；当RF开关闭合时，Y‑DPMZM输出LO信号的‑1阶边带。然后，两路偏振正交信号输入到PDC‑PM，该PDC‑PM由两个独立的编码信号驱动，当改变编码信号振幅和模式时，经过光电探测器可获得载波频率等于或两倍于LO信号频率的二元或四元相位编码信号。
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公开(公告)号：CN113570548B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110727721.2
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京工业大学 , 沧州宏涛智能设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于线阵相机的无间隙焊缝识别方法及其系统，包括以下步骤：通过线阵相机获取焊件的图像信息；对图像信息进行降噪处理，得到预处理信息；对预处理信息进行筛选，得到候选信息；去除候选信息中的错误位置信息，得到焊缝信息；拼接焊缝信息，得到焊缝轨迹，根据焊缝轨迹控制焊枪进行焊接操作。通过对图像信息进行降噪、筛选处理，能有效地减少图像信息的信息量，避免了产生大量的信息冗余，进而减少大量的数据运算，提高了处理速度；通过去除候选信息中的错误位置信息，能快速地删除候选信息中错误的位置信息，保证无间隙焊缝识别的准确性。
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