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公开(公告)号：CN108226099A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711478375.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种太赫兹无损检测硅片电阻率的装置及其使用方法，涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒；太赫兹辐射源设置在最下方，太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波，准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方，所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方，太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距，太赫兹探测器的探头朝下，用于接收太赫兹辐射，样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间，能够沿水平面移动，计算机与太赫兹探测器数据线相连，机械吸盘与计算机数据线连接，返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下，无损地测量硅片的电阻率，不会对硅片造成损伤。
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公开(公告)号：CN108226099B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201711478375.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种太赫兹无损检测硅片电阻率的装置及其使用方法，涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒；太赫兹辐射源设置在最下方，太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波，准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方，所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方，太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距，太赫兹探测器的探头朝下，用于接收太赫兹辐射，样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间，能够沿水平面移动，计算机与太赫兹探测器数据线相连，机械吸盘与计算机数据线连接，返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下，无损地测量硅片的电阻率，不会对硅片造成损伤。
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公开(公告)号：CN208013081U
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201721925351.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种直接太赫兹无损检测硅片透过率并进一步检测电阻率的装置，涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒；太赫兹辐射源设置在最下方，太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波，准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方，所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方，太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距，太赫兹探测器的探头朝下，用于接收太赫兹辐射，样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间，能够沿水平面移动，计算机与太赫兹探测器数据线相连，机械吸盘与计算机数据线连接，返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下，无损地测量硅片的电阻率，不会对硅片造成损伤。
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公开(公告)号：CN118738169A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410802975.X
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/20
Abstract: 一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法，属于太阳能电池领域。将V:MoOX作为硅化合物异质结太阳电池入光面的空穴传输层，得到的器件从上到下依次设置为：金属Ag电极、ITO透明电极层、V:MoOX空穴传输层、i‑a‑Si:H层、n‑c‑Si层、i‑a‑Si:H层、n‑a‑Si:H层、ITO透明电极层、金属Ag电极。由于V:MoOX的宽带隙、高功函，可以减小太阳电池的寄生吸收和光损耗，并增大空穴传输层对空穴的选择性抽取能力，最终使得太阳电池的短路电流密度(JSC)、填充系数(FF)、开路电压(VOC)、转化效率(PCE)均有所提高。
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公开(公告)号：CN111921557B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010570603.0
申请日：2020-06-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 纳米摩擦电荷增强锰氧化物/高分子复合材料去除甲醛的装置和方法，属于甲醛去除技术领域。通过电纺丝+水热技术制备大面积锰氧化物/高分子纳米复合材料(MnOx/PI&PA纳米复合结构纤维网)，并通过增加催化剂表面电荷方面来协同锰氧化物催化氧化，提高氧气向活性氧的转化产率，促进中间产物分解，从而提升甲醛催化分解速率和催化稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118076192A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410190110.2
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿微型同质结三极晶体管的加工方法，涉及晶体管领域。其步骤是：1)制备带有沟道的衬底并旋涂均匀的钙钛矿薄膜后通过FIB刻蚀掉沟道外的钙钛矿薄膜并放置顶电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子的特定浓度分布；3)通过对器件的顶电极和中间电极及中间电极和底电极间的钙钛矿薄膜分别施加电压，驱动游离离子空间重排，形成NPN或PNP的三极晶体管结构；通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳三极晶体管；通过调整偏置高电压的大小，实现放大倍数可调。
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公开(公告)号：CN117832304A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410028640.7
申请日：2024-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种一步法制备的二维范德华半导体突触器件，属于半导体突触器件领域。所述二维范德华半导体突触器件，包括衬底、沟道、源电极和漏电极，设置绝缘层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由多层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，整体位于绝缘层上；所述沟道材料中含有可以存储电子或空穴的缺陷。所述沟道材料中的缺陷产生于电极沉积的过程。与现有技术相比，显著降低了二维半导体突触制备工艺的复杂度，精简化工艺的突触制备技术方法在实际生产中的应用具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN117558769A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311520540.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/042 , H01L31/18 , C01G39/02
Abstract: 一种含有不同含氧量的复合氧化钼空穴传输层L‑MoOx/MoO3的硅基太阳电池，属于太能电池技术领域。将低氧含量的L‑MoOx材料加入到电极/MoO3/氧化物钝化层/c‑Si电池结构中，形成电极/L‑MoOx/MoO3/氧化物钝化层/c‑Si电池结构。可以在大幅度提升空穴载流子的传输性能。
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公开(公告)号：CN113702451B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110957687.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即#imgabs0##imgabs1#因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。
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公开(公告)号：CN116661206A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310296355.9
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02F1/1514 , G02F1/153 , G02F1/1523 , G02F1/163 , G09G3/38 , C23C14/20 , C23C14/26 , C25D9/02 , C23C28/00 , C25D7/06 , C25D5/48
Abstract: 一种自适应伪装的电致变色系统，基于新型电致变色织物可穿戴显示系统属于电控及新材料领域，包括电致变色织物、环境监测颜色传感系统和电源控制系统；可选地，电致变色织物由电致变色材料、电解质、对电极组成，在所述电源控制系统和电致变色织物连接时，所述电致变色织物呈不同颜色状态与环境相适应。在可穿戴、军事、防伪等众多领域有着巨大的应用潜力和价值。
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