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公开(公告)号：CN115332374B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN118335850A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410423968.9
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种通过准分子激光器晶化硅基太阳能电池非晶硅层的方法，涉及光伏技术加工领域。包括以下步骤：首先光学板块设计上使用微透镜光均束器对光路进行整型匀束，将硅基太阳能电池固定在位移台，调节准分子激光器的参数，使其激光聚焦于硅基太阳能电池非晶硅层上从而对其做晶化处理，使非晶硅层上生长出微晶硅。本申请提供的通过准分子激光器晶化硅基太阳能电池非晶硅层的方法能够很好地保证非晶硅层的均匀度较好，其晶化产生的微晶硅将直接有利于载流子迁移率和有效掺杂浓度的提高，从而提升硅基太阳能电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN117392741A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311141979.X
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06V40/20 , G06V40/16 , G06V20/52 , G06V10/74 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/0464 , G06N3/084 , G10L15/02 , G10L21/0208 , G10L25/51 , H04N7/18 , G08B13/196 , G08B21/24 , G06Q50/20
Abstract: 基于图像识别、语音识别的智能考场行为分析与检测系统，属于分析系统。包括硬件模块与软件模块；分为学生端与教师端。学生端用于收集、处理考生的考场行为信息；包括主控CPU1、摄像头1、摄像头2、麦克风、存储模块1、数据处理模块、双机位调整模块、考生行为分析模块、通讯模块1和显示模块1。通过摄像头及麦克风采集数据，存储在存储模块中，数据处理模块通过人脸识别与人体行为识别对考生身份以及行为进行识别，通过音频识别判断考生所处环境中是否有人讲话，双机位调整模块提醒考生调整摄像头位置至规定位置，使采集的数据更加准确。考生行为分析模块对考生的行为进行分析，判断是否存在违规行为。最终在教师端显示处理后的数据。
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公开(公告)号：CN116864557A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310687015.9
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法，属于太阳能电池领域。通过设计一种晶硅组合平面，在制备硅异质结(SHJ)太阳电池的过程中可以有效地抑制晶硅/非晶硅(c‑Si/a‑Si)界面处晶硅外延和纳米孪晶的形成与生长。通过利用Lammps软件对不同晶硅组合面组成的c‑Si/a‑Si界面模型进行分子动力学模拟以对本发明所设计的不同晶硅组合面对界面形貌的影响，并与以纯(111)面组成的界面分子动力学模拟结果对比，研究结果表明(111)/(011)这种组合面可以有效抑制c‑Si外延和纳米孪晶的形成与生长，改善了c‑Si/a‑Si界面质量。该方法有希望指导SHJ太阳电池的未来研究方向。
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公开(公告)号：CN116528631A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310303286.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于钙钛矿自掺杂效应的微纳光电二极管像元阵列加工方法，属于探测器技术领域。其步骤为：1)器件采用平面结构，电极为底电极；2)通过在钙钛矿前驱体溶液中添加PEAI或GuCl等抑制离子迁移的添加剂；3)在图形化电极阵列上旋涂钙钛矿来制备钙钛矿薄膜4)通过预先制备的图形化底电极对钙钛矿薄膜施加偏压，使其内部离子进行定向移动形成局部掺杂，在阵列各个单元器件中形成PN结；4)通过偏压极化后，阵列中各单元器件已形成光电二极管可在0V偏压下进行工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410328A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110520121.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种晶硅异质结太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。在硅片的正面也通过沉积上本征氢化非晶硅钝化膜来钝化悬挂键，但是为了减少掺杂氢化非晶硅和TCO的吸收损失，在上本征氢化非晶硅钝化膜正面的掺杂氢化非晶硅只覆盖了小部分面积来作为电子的选择性传输通道。减少n型掺杂氢化非晶硅的覆盖面积是基于太阳电池的衬底也为n型掺杂，电子为多数载流子，其在衬底中有良好的传输能力。虽然减少了前表面场的覆盖面积会使电子的扩散距离变大，但良好的传输能力可避免引起传输损失。同样地，正面的透明导电氧化物薄膜也仅沉积在n型掺杂氢化非晶硅上部，透明导电氧化物薄膜上部有金属电极来形成紧密欧姆接触。
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公开(公告)号：CN107275427B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710410516.7
申请日：2017-06-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/052 , H02S30/10
Abstract: 一种基于金属型材基底的复合型光伏光热一体化构件，该构件包括保温层、金属型材基底层、缓冲层、由多个光伏电池单元构成的光伏组件层、透明覆盖层和金属边框；所述的保温层处于最下方，所述的金属型材基底层位于保温层上方，所述的缓冲层位于金属型材基底层的上方，所述的光伏组件层位于缓冲层之间，所述的透明覆盖层包括两层且均位于缓冲层上方，所述的金属边框设置于各层的外部；所述的金属型材基底层上层与缓冲层相贴合，下层与保温层相贴合，所述的金属基底层为横截面翅鳍状的板层，由多个供散热介质流通的流道组成。能将金属型材基本特性以及内置中空流道结构特性相结合，实现对光伏光热一体化构件有效降温，且可以与建筑相结合。
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公开(公告)号：CN109346607A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811250984.3
申请日：2018-10-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种钙钛矿太阳能电池吸光层分层结构，属于太阳能电池技术领域。在电子传输层和空穴传输层中间的钙钛矿层分为两层，接近电子传输层的钙钛矿层为一维导电材料嵌入型结构的钙钛矿层，在SWCNT嵌入型钙钛矿层与空穴传输层之间为未嵌入SWCNT型结构的钙钛矿层，未嵌入型的常规钙钛矿层相对于SWCNT嵌入型钙钛矿层厚度较薄。采用本发明的技术方案，其载流子迁移率可提高。
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公开(公告)号：CN106290529B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201610633499.9
申请日：2016-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 一种基于多循环双阶跃计时分析技术的电致变色材料循环稳定性测试及分析方法，属于功能材料测试分析技术的领域。通过多循环双阶跃技术对电致变色薄膜进行测试，经过分析分别得到抽出电荷量Qex与注入的电荷量Qin，通过两者的比值Qex/Qin能够直接得到薄膜循环的可逆性R＝Qex/Qin值，能够满足研究者对电致变色材料循环性能评估需求。该技术也可以从理论深层次水平将总响应电荷Q分成三个部分，即拉第电荷Qf、吸附电Qads与双电层电荷Qdl。通过比较多循环下Qf及Qdl+nFAГ的变化情况，判断出反应体系中离子、电子的传输特性及薄膜循环稳定性的影响因素，便于对薄膜电致变色性能及循环寿命研究与改性。
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公开(公告)号：CN108054086A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711277106.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于聚苯乙烯小球的超短沟道及制备方法，纳米科技领域和半导体技术领域。本发明利用单层自组装的聚苯乙烯小球,原子层沉积可控制生长厚度的氧化铝，可获得亚十纳米长度的超短沟道。工艺步骤简单、成本低廉、易于大面积制备超短沟道，具有较好的实用价值。
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