公开(公告)号：CN118507518A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410814130.2

申请日：2024-06-21

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 王亮 ,  田延忠 ,  魏晓光 ,  赵晓亮 ,  于克凡 ,  唐新灵 ,  杜玉杰 ,  林仲康 ,  石浩 ,  王靖飞

IPC: H01L29/74

Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。

公开(公告)号：CN119920771A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510372581.X

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 王亮 ,  唐新灵 ,  代安琪 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  李玲 ,  田延忠 ,  郝炜

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种芯片的封装结构和半导体器件；该芯片的封装结构包括阴极电极和动态均压模块；阴极电极叠放于芯片上，阴极电极分割成多个压力补偿区域；动态均压模块设于阴极电极背离芯片的一侧并具有封闭空腔，封闭空腔内填充有弹性缓冲物质，封闭空腔内设有与多个压力补偿区域均电连接的多个动态插入电极，动态均压模块的外端部与外部管壳阴极密封电连接。当采用本申请的技术方案在对芯片与管壳进行封装时，通过在阴极电极上设置具有封闭空腔的动态均压模块，能够利用封闭空腔内部的缓冲物质来实现对于芯片封装过程中的压力补偿，进行动态的压力调节，均匀了金属电极之间的压力。

公开(公告)号：CN119920772A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510374475.5

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 郝炜 ,  唐新灵 ,  魏晓光 ,  于克凡 ,  石浩 ,  代安琪 ,  林仲康 ,  田延忠

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件，其中，功率半导体封装结构包括：半导体芯片；第一极电连接结构，设置在半导体芯片的第一侧；第二极电连接结构，设置在半导体芯片的第二侧，第二极电连接结构包括缓冲结构、极座以及液态金属介质，缓冲结构设置在半导体芯片与极座之间，缓冲结构与极座之间形成容纳空间，液态金属介质设置在容纳空间内，缓冲结构与极座之间密封连接以防止液态金属介质脱离容纳空间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的压接封装难度大、成本高的问题。