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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119661930A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510185768.9
申请日：2025-02-20
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及电缆技术领域，具体涉及半导电屏蔽料及其制备方法、氧等离子体反应设备、电缆。以重量份数计，本申请半导电屏蔽料包括55份~65份的乙烯基树脂基体、1.5份~2份的交联剂以及30份~40份的填料；填料至少包括改性导电填料；改性导电填料包括第一含氧官能团和第二含氧官能团，第一含氧官能团包括羟基和醚基中的一种或多种，第二含氧官能团包括羰基、COO—和羧基中的一种或多种；改性导电填料满足如下关系式：C1/n1≤C2/n2，其中，C1为第一含氧官能团的总浓度，n1为第一含氧官能团中包括的官能团种类数，C2为第二含氧官能团的总浓度，n2为第二含氧官能团中包括的官能团种类数。
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公开(公告)号：CN119081279A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411580559.6
申请日：2024-11-07
Abstract: 本申请提供了一种半导电屏蔽材料及其制备方法和应用，该半导电屏蔽材料的制备原料包括如下质量份数的组分：59份～63份的基体树脂、34份～38份的导电炭黑，1份~1.5份的交联剂，0.5份~2份的分散剂，0.5份~3份的润滑剂，0.5份~1.5份的抗氧剂；所述导电炭黑的吸碘值>65g/Kg，吸油值≥140mL/100g，压缩吸油值>90mL/100g，325目筛余物≤10ppm，灰分
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公开(公告)号：CN119060450A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411578276.8
申请日：2024-11-06
Abstract: 本申请公开了一种半导电屏蔽材料及其制备方法和应用，半导电屏蔽材料的制备原料包括导电填料和聚合物组合物，所述导电填料包括导电炭黑和高导电MXene；所述高导电MXene包括表面形成有金属氧化物层的二维层状MXene；所述高导电MXene的X占据相邻M层的八面体位点。通过高导电MXene与导电炭黑、与基体树脂、分散剂、抗氧剂、润滑剂及交联剂这些组分之间的配合与协同作用，使得屏蔽材料获得了优异的导电性能和力学性能，而且获得的屏蔽材料表面光洁度高，解决了因屏蔽材料表面微小杂质或缺陷引起局部放电带来的安全隐患问题，满足超高压电缆领域电缆用材需求。
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公开(公告)号：CN119060450B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411578276.8
申请日：2024-11-06
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请公开了一种半导电屏蔽材料及其制备方法和应用，半导电屏蔽材料的制备原料包括导电填料和聚合物组合物，所述导电填料包括导电炭黑和高导电MXene；所述高导电MXene包括表面形成有金属氧化物层的二维层状MXene；所述高导电MXene的X占据相邻M层的八面体位点。通过高导电MXene与导电炭黑、与基体树脂、分散剂、抗氧剂、润滑剂及交联剂这些组分之间的配合与协同作用，使得屏蔽材料获得了优异的导电性能和力学性能，而且获得的屏蔽材料表面光洁度高，解决了因屏蔽材料表面微小杂质或缺陷引起局部放电带来的安全隐患问题，满足超高压电缆领域电缆用材需求。
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公开(公告)号：CN119081279B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411580559.6
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: C08L23/0869 , C08L91/06 , C08K3/04 , C08K5/20 , C08K5/14
Abstract: 本申请提供了一种半导电屏蔽材料及其制备方法和应用，该半导电屏蔽材料的制备原料包括如下质量份数的组分：59份～63份的基体树脂、34份～38份的导电炭黑，1份~1.5份的交联剂，0.5份~2份的分散剂，0.5份~3份的润滑剂，0.5份~1.5份的抗氧剂；所述导电炭黑的吸碘值>65g/Kg，吸油值≥140mL/100g，压缩吸油值>90mL/100g，325目筛余物≤10ppm，灰分
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