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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789442A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411735955.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京晨晶电子有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了基于端封的硅电容器及其制造方法、制造设备，该基于端封的硅电容器及其制造方法可以包括：基于端封工艺确定对晶圆进行与端封工艺相对应的划片处理，并在划片处理和与划片处理相对应端封工艺都完成后进行电镀处理；在物理气相沉积溅射工艺的情况下或者在沾浆工艺的情况下进行不同的电镀，制造得到基于端封的硅电容器。
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公开(公告)号：CN119698006A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411666099.9
申请日：2024-11-20
Applicant: 北京晨晶电子有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了至少一种硅电容器及其制造方法、制造设备，该制造方法可以包括：通过刻蚀，在衬底上沿预定方向形成沟槽网络，以将衬底形成为一体结构，预定方向为从衬底的顶表面延伸至底表面的竖直方向，沟槽网络包括至少一个沟槽，至少一个沟槽被一体结构包围；通过沉积，在衬底上形成至少一层MIM结构，至少一层MIM结构包括单层MIM结构、双层MIM结构以及多层MIM结构。
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公开(公告)号：CN119852097A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411916974.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京晨晶电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多层硅电容器堆叠器件及其封装方法，属于半导体加工领域。多层硅电容器堆叠器件包括多个晶圆，每个晶圆包括硅衬底、对称设置在硅衬底上下两侧的第一硅电容器和第二硅电容器、第一焊盘和第三焊盘、第二焊盘和第四焊盘，其中，第一焊盘和第二焊盘连接到第一硅电容器，第三焊盘和第四焊盘连接到第二硅电容器，第一焊盘和第三焊盘间设置有第一通孔，第二焊盘和第四焊盘间设置有第二通孔，第一通孔和第二通孔填充有金属，实现了单个晶圆上下两侧电容器并联。同时，多个晶圆通过晶圆互连结构经由对应焊盘彼此电连接，实现了多个晶圆的堆叠和电容器的并联连接，从而在相同投影尺寸条件下实现硅电容器的电容密度和存储容量的数倍提升。
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公开(公告)号：CN119852067A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411917006.5
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京晨晶电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种钴基磁性薄膜电感器及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该钴基磁性薄膜电感器包括：衬底层、磁性层、绝缘层和金属线圈层。衬底层的材质是玻璃；磁性层设置在衬底层的上表面上，该磁性层的材料为钴基非晶软磁材料；绝缘层设置在磁性层的远离衬底层的表面上，并且均匀覆盖磁性层的上表面；金属线圈层设置在绝缘层的远离衬底层的表面上。该钴基磁性薄膜电感器通过MEMS工艺完成制备，确保了电感器体积的微型化，同时通过使用玻璃作为衬底，使用钴基非晶软磁材料作为磁性层，实现了薄膜电感器较高的电感量和品质因数。
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公开(公告)号：CN117529223A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311405531.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京晨晶电子有限公司
IPC: H10N97/00 , B23K26/351
Abstract: 本发明提供一种硅电容的容值修调方法及硅电容，涉及半导体技术领域，其中所述方法包括：获取目标晶圆的MAP数据，其中，所述目标晶圆包括多个硅电容，所述MAP数据包括每个硅电容的容值，容值表征所述硅电容的合格或待修调；将MAP数据记录到激光修调设备中，通过激光修调设备确定待修调硅电容的容值的修调量；将目标晶圆放置于所述激光修调设备中，通过激光修调设备根据修调量，对待修调硅电容的表面电极的面积和/或极板的面积进行对应的修调；从而可以实现通过激光修调设备针对性地调整电容极板面积和/或表面电极的面积，实现电容器容值的修调，无需重新流片生产便可以实现硅电容器晶圆级良率的提升，减少工艺开发时间。
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