公开(公告)号：CN118610266B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411082427.0

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  张同 ,  张东 ,  刘春颖 ,  蒋天浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。

公开(公告)号：CN118610266A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202411082427.0

申请日：2024-08-08

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  张同 ,  张东 ,  刘春颖 ,  蒋天浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。

公开(公告)号：CN119578357A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411421113.9

申请日：2024-10-12

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  邓永峰 ,  刘芳 ,  吴波 ,  李君建 ,  王凯 ,  章明瑞 ,  吴祖谋 ,  蒋天浩 ,  张同 ,  董子斌

IPC: G06F30/398 ,  G06F18/24 ,  G06F111/20

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的仿真方法、装置、电子设备、存储介质及产品，属于半导体技术领域。所述半导体器件的仿真方法包括：获取半导体器件的平面版图；对所述平面版图进行识别，确定所述半导体器件的制作工艺中实际使用的目标掩膜版；根据工艺设计库，识别所述目标掩膜版的配置信息，所述配置信息包括所述目标掩膜版的明暗场类型和尺寸信息；根据所述目标掩膜版的配置信息，搭建仿真程序；根据所述仿真程序，对所述半导体器件进行仿真。本申请能够节省人力成本和时间成本，提高仿真的效率和准确性。