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公开(公告)号：CN118073425B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410500105.7
申请日：2024-04-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/02 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件、制备方法及芯片，属于半导体技术领域。抗电磁环境干扰高可靠LDMOS静电泄放器件包括：基底；体区，体区内靠近第一侧设有源区和至少一个第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型和源区的掺杂类型相反；漂移区，漂移区靠近第一侧设有漏区和至少一个第二掺杂区，第二掺杂区的掺杂类型和漏区的掺杂类型相反；栅功能层；第一极性结构，分别与源区、第一掺杂区和栅功能层连接；第二极性结构，分别与漏区和第二掺杂区连接。体区内的第一掺杂区和漂移区内第二掺杂区分别在LDMOS器件内部形成PN结，实现在LDMOS内集成SCR结构，从而调整电流流出路径，提高了LDMOS器件的单位面积静电泄放能力。
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公开(公告)号：CN117498854B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311220391.3
申请日：2023-09-20
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/04 , H03K17/081
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种IGBT驱动电路及芯片。所述IGBT驱动电路包括死区产生模块、电平位移模块、延时电路模块、第一驱动管以及第二驱动管。死区产生模块用于基于输入信号生成非交叠的第一控制信号和第二控制信号；电平位移模块用于对第一控制信号进行电平位移处理生成高压域控制信号；延时电路模块用于对第二控制信号进行延时处理生成与所述高压域控制信号的延时相匹配的低压域控制信号；第一驱动管与第二驱动管在高压域控制信号以及低压域控制信号的作用下生成轨到轨输出的驱动信号。本发明可实现不同电压域的匹配，提高响应速度，且可实现良好的延时匹配特性，避免第一驱动管与第二驱动管直通，节省功耗。
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公开(公告)号：CN117877543A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311668595.3
申请日：2023-12-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种高速低功耗OTP电阻放大器及芯片，涉及存储器技术领域，OTP电阻放大器包括：采样触发模块、延时模块、复位模块、电源、OTP存储模块、采样放大模块及采样读取模块；采样触发模块、延时模块及采样放大模块依次连接，OTP存储模块与电源连接构成回路，采样触发模块的输出端还与OTP存储模块连接，采样放大模块的输入端与存储模块连接；采样放大模块的输出端与复位模块的输入端及采样读取模块的输入端分别连接，复位模块的输出端与采样触发模块连接。本申请能够根据采样输出，精确控制读取时间，使读取时间最小化，能够当输出稳定后及时关闭读取电路，从而有效降低平均功耗。
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公开(公告)号：CN117200784A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311091260.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H03K19/08 , H03K19/094 , H03K19/173 , H03K19/003
Abstract: 本申请涉及晶体管安全检测技术领域，具体涉及一种IGBT退饱和保护方法及IGBT退饱和保护电路。所述电路包括：栅极驱动模块，用于输出栅极驱动信号，所述栅极驱动信号包括高电平信号和低电平信号；检测电路，用于检测目标IGBT的工作状态，所述目标IGBT的工作状态包括退饱和状态和饱和状态；数字逻辑控制模块，用于控制栅极驱动模块输出高电平信号或低电平信号；用于计时消隐时间和退饱和滤波时间；用于利用检测电路获取目标IGBT的工作状态。采用本发明提供的能够更好的提高退饱和检测电路的响应速度和可靠性。且不需要外接消隐电容，简化了外围的电路，降低了外围元器件的消耗。
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公开(公告)号：CN116828347B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
Abstract: 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116828347A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311108437.2
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H04Q9/00 , G01R31/28 , H04L67/12 , H04L69/00 , H04L67/565
Abstract: 本发明提供一种芯片可靠性试验远程监控装置、测试系统及方法，属于芯片测试数据传输与监控领域。所述监控装置包括：至少一个监控终端、MQTT服务终端和至少一个MQTT客户终端；MQTT客户终端用于向MQTT服务终端发送主题订阅请求，以及接收属于订阅主题的芯片可靠性测试数据；MQTT服务终端用于将符合芯片可靠性主题的芯片可靠性测试数据通过MQTT协议传输至MQTT客户终端；监控终端用于将芯片可靠性测试数据传输至MQTT服务终端。通过本发明提供的监控装置，实现了测试数据的定向传输和实时共享，同时，扩大了检测人员在试验期间的活动范围，以及同时监控的测试机台数量。
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公开(公告)号：CN116525659B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310798837.4
申请日：2023-07-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种纵向栅LDMOSFET器件及制造方法、功率芯片。纵向栅LDMOSFET器件包括半导体衬底、阱区、体区、漂移区、源区以及漏区，还包括：纵向设置于所述体区与所述漂移区之间的氧化层，以及纵向设置于体区的纵向栅结构；所述氧化层和所述纵向栅结构均与所述阱区相接，所述漂移区与所述纵向栅结构之间的体区与所述氧化层以及所述漂移区构成第一场板结构；所述纵向栅结构包括纵向栅以及栅氧化层，所述纵向栅以及位于纵向栅底部的栅氧化层与所述阱区构成第二场板结构。本发明通过纵向设置氧化层和纵向栅结构，形成双场板结构，提高器件的击穿电压，同时减少漂移区的横向面积，从而减少芯片所占面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN115939197B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310061014.3
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115863397B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310056857.4
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115528117A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211436896.9
申请日：2022-11-16
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。
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