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公开(公告)号：CN108563590B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201810684179.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
Abstract: 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。
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公开(公告)号：CN108563590A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810684179.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
Abstract: 本发明提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器和控制方法。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本发明的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。
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公开(公告)号：CN208444289U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201821006152.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
Abstract: 本实用新型提供了一种基于片上FLASH存储器的OTP控制器。该OTP控制器包括：通信总线模块，处理器通过该通信总线模块用于对片上FLASH存储器和OTP控制器进行数据读写；总线协议转换模块，其与所述通信总线模块进行通信，将该通信总线模块的总线协议转换为片上FLASH存储器的读写总线协议；读写状态控制模块，其与所述总线协议转换模块进行通信，用于控制所述片上FLASH存储器的读写状态；以及OTP接口，其与所述总线协议转换模块以及所述片上FLASH存储器进行通信，用于OTP数据在OTP控制器与片上FLASH存储器的存储单元之间的传输。本实用新型的OTP控制器能够对FLASH存储器进行一次性编程的数据读写，并能够保护OTP数据不被改写。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN114327255B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111370701.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器接口控制器及存储器，属于数据存储领域。所述存储器接口控制器包括：第一通信模块，用于接收外部设备传送的明文数据，并将所接收的明文数据传送给寄存器模块进行存储；加密模块，用于对存储的明文数据进行加密以得到对应的密文数据，并将密文数据传送给缓存模块进行缓存；数据处理模块，用于将寄存器模块所存储的明文数据搬运给加密模块，以及将缓存模块所缓存的密文数据搬运给第二通信模块；所第二通信模块，用于将所接收的密文数据传送给所述存储器。本发明的存储器接口控制器通过增加加密模块，实现了在数据存储源头的加密保证，可保证了数据安全。
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公开(公告)号：CN114281632A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111360699.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于在SoC验证中初始化Romcode的方法及装置，属于芯片技术领域。所述方法包括：针对待初始化的Romcode，循环执行以下步骤直到所述待初始化的Romcode被按行遍历完成：从所述待初始化的Romcode中读取未被初始化的文件内容；从所述文件内容中提取地址和数据；确定所述地址对应的存储器；以及将所述数据存储至所述存储器的与所述地址对应的存储器地址中，以完成所述文件内容的初始化。其避免了因待初始化文件地址不连续需要按地址拆分文件或持续补值的缺陷，同时克服了在多存储器跳转时拆分定向激励的缺陷，提高了验证的自动化程度，减少人工干预造成的意外错误的风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113743044A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111304432.8
申请日：2021-11-05
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/3312 , G06F30/394
Abstract: 本发明实施例提供一种时序路径修正方法、装置、介质及芯片结构，属于芯片技术领域。所述时序路径修正方法包括：针对阻挡了时序路径的定制模块，判断该定制模块是否符合布线通道扩展要求；以及在确定所述定制模块符合所述布线通道扩展要求的情况下，修改所述定制模块的物理信息以在所述定制模块内部扩展布线通道，使得对应的时序路径经所述布线通道贯穿所述定制模块。本发明通过创建布线通道，引导时序路径从定制模块内部贯穿，有效地缩短了时序路径的长度，降低了因寄生现象引起的时序违反，有助于实现低功耗混合信号设计。
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公开(公告)号：CN110750129A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910964645.X
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种分频电路，包括第一分频器以及第二分频器；第一分频器包括：第一累加器，在接收的时钟信号的每个上升沿来临时计数值加1，且在第一反馈信号的控制下清除第一累加器的计数值；第一比较器，比较第一累加器的计数值和第一分频信号，第一反馈信号为第一比较器的输出信号；第一异或门；第一触发器，第一触发器的输出为第二反馈信号，第一触发器的输出为第一分频器的输出信号div0_clock；第二分频器包括：第二累加器；第二比较器；第二异或门；第二触发器，输出为第二分频器的输出信号div1_clock；其中，div0_clock与div1_clock为相同时钟相位的信号。本发明提供的分频电路可以确保分频时钟先高周期后低周期，以避免不同分频比造成的时钟相位不一致的问题。
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公开(公告)号：CN110380724A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910682065.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RTC时钟频率温度补偿芯片，用于对晶体振荡器由于温度变化所引起的频率漂移进行补偿，RTC时钟频率温度补偿芯片包括：温度传感器、随机存储器、RTC电路。温度传感器用于检测环境温度，生成温度信号；随机存储器与温度传感器相连，其用于存储修调数据表，该修调数据表中存储了多个温度信号下所对应的频率校正值，随机存储器还用于根据温度传感器的温度信号索引出相应的频率校正值；RTC电路与晶体振荡器以及随机存储器均相连，用于根据随机存储器输出的频率校正值对晶体振荡器的频率进行校正。该RTC时钟频率温度补偿芯片能够降低对晶体振荡器的选型要求，以及降低片上的温度传感器的测温误差精度要求。
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公开(公告)号：CN110363032A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910670590.1
申请日：2019-07-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F21/76
Abstract: 本发明公开了一种安全芯片的主动屏蔽层电路，包括：金属屏蔽层，包括通过多个贯穿金属屏蔽层的过孔相连接的顶层金属线与次顶层金属线；输入检测电路，用于接收数字逻辑单元发送的检测信号，对检测信号进行放大处理，并将放大处理后的信号传输至次顶层金属线，次顶层金属线将接收到的信号传输至与次顶层金属线相连接的顶层金属线；输出检测电路，用于对顶层金属线传输的信号进行消除天线效应处理，并将处理后的信号传输至数字逻辑单元的输入接口；次顶层金属线覆盖安全芯片的敏感模块。本发明提供的安全芯片的主动屏蔽层电路，可以增加FIB探测难度，提高主动屏蔽层的抗攻击性。
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公开(公告)号：CN110263499A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910670946.1
申请日：2019-07-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC: G06F17/50 , G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度大容量射频标签芯片的版图结构，该版图结构包括：第1版图区、第2版图区、第3版图区、第4版图区、第5版图区、第6版图区、第7版图区和第8版图区，其中，第1版图区分别与第2-8版图区电连接；第2版图区分别与第1和6版图区电连接；第3版图区分别与第1和6版图区电连接；第4版图区分别与第1和6版图区电连接；第5版图区分别与第1和6版图区电连接；第6版图区分别与第1-5版图区以及第7-8版图区电连接；第7版图区分别与第1和6版图区电连接；以及第8版图区分别与第1和6版图区电连接，并覆盖在第3和4版图区上。本发明的版图结构能够显著提升射频标签芯片的存储容量、灵敏度和可靠性。
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