公开(公告)号：CN118712079B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411188988.9

申请日：2024-08-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 霍永隽 ,  赵爽 ,  王泰宇 ,  张栋林 ,  赵修臣

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。

公开(公告)号：CN118709450A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202411188934.2

申请日：2024-08-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 霍永隽 ,  赵爽 ,  王泰宇 ,  张栋林 ,  赵修臣

IPC: G06F30/20 ,  G16C60/00 ,  G16C10/00 ,  G16C20/50 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供一种高塑性银基固溶体的筛选方法和装置，涉及电子封装技术领域，方法包括：获取待筛选的多种溶质，并建立每种溶质对应的银基无序固溶体模型，以及纯银模型；其中，银基无序固溶体模型为在纯银模型中替换任一种溶质得到的，每种溶质对应的银基无序固溶体模型和纯银模型具有相同的原子数和晶体结构；基于每种溶质对应的银基无序固溶体模型的第一计算结果以及纯银模型的第二计算结果的差值得到每种溶质的塑性结果，并基于每种溶质的塑性结果进行筛选，确定差值符合预设范围的溶质对应的银基无序固溶体为目标银基无序固溶体。通过本发明提供的方法，对具有高塑性的银基固溶体类型进行筛选，大大减少了实验研究的时间和金钱成本。

公开(公告)号：CN118712079A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202411188988.9

申请日：2024-08-28

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 霍永隽 ,  赵爽 ,  王泰宇 ,  张栋林 ,  赵修臣

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。

公开(公告)号：CN116489883A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310256305.8

申请日：2023-03-16

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 霍永隽 ,  张栋林 ,  宋佳麒 ,  赵修臣 ,  田鑫 ,  徐涛

IPC: H05K3/00 ,  H05K3/04 ,  H05K3/06 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明涉及陶瓷基板技术领域，尤其涉及一种基于瞬态液相键合的功能氮化硅陶瓷基板及制备方法，该方法包括在氮化硅基板的表面依次制备钛层、银种子层、电镀银层和铟镀层，在无氧铜箔的表面制备电镀银层，将无氧铜箔的镀银一侧与氮化硅基板的镀铟一侧进行银铟瞬态液相键合，然后进行覆铜基板电路图形刻蚀。本发明提供的新型氮化硅基板覆铜工艺能够制备高可靠性的高功率电子陶瓷基板，更好地用于电动汽车电源控制模块、高功率激光器、电力运输控制模块和风力发电机组等高端功率电子产品。