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公开(公告)号：CN112410749B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011267976.7
申请日：2020-11-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高塑性非均匀异质结构钨的制备方法，属于金属钨制备技术领域。先采用化学气相沉积方法制备柱状晶组织的钨板，然后通过热轧制变形处理得到纤维状变形组织的钨板，最后通过部分再结晶退火热处理得到由纤维状变形组织与部分再结晶等轴组织共同构成的高塑性非均匀异质结构钨。与传统制备的均质结构钨相比，本发明所制备的非均匀异质结构钨的断裂方式路径发生改变，偏转角度增加，从而提高其断裂所需要的功，进而能够提高非均匀异质结构钨的塑性。本发明所述方法操作简单，可以有效提高钨的塑性，有利于扩大钨的应用范围，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112908960A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110117877.9
申请日：2021-01-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种金属纳米颗粒原位反应增强的63Sn37Pb焊料凸点及其制备方法，属于电子封装技术领域。本发明的金属纳米颗粒原位反应增强的63Sn37Pb焊料凸点通过纳米复合电镀方式结合光刻技术制得，并通过倒装互连的方式进行对准互连。焊点回流过程中，金属纳米颗粒与锡原位反应生成的超细尺寸金属间化合物纳米颗粒，可以有效抑制焊点内部的原子迁移及界面金属间化合物的过度生长，阻碍高密度电流作用下焊料凸点内部的相分离，有效地提高该焊点的互连可靠性。
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公开(公告)号：CN111646872A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010512558.3
申请日：2020-06-08
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种新型战斗部活性破片及其制备方法和应用，具体地说是一种通过带有格栅内壁管材封装，在保存过程中具有更好安定性的氢化物活性破片。本发明采用带有格栅内壁的管材，将氢化物及氧化剂分别封装入管材不同单胞内，在不影响破片毁伤效果的前提下，达到提高氢化物活性破片加工、贮存安定性的目的。
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公开(公告)号：CN110699573A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911112865.6
申请日：2019-11-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种NiMn掺杂的CoFe基多晶软磁合金及其制备方法，属于磁性材料技术领域。本发明通过在Co70Fe30合金中加入NiMn合金基团，在保持了Co70Fe30合金本身优异的合金软磁性能、磁致伸缩性能、低廉的成本等优势的同时，大大提高了合金的力学性能；另外，制备所述合金的原料成本低廉，制备过程简单便捷，成品率高，绿色环保，不需要使用昂贵的大型仪器设备，可以快速低成本地在工业生产中推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106384720A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610910665.5
申请日：2016-10-19
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/16 , H01L24/11 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种焊料凸点的制作方法及装置、电子元件中，该制作方法包括将带有球形焊料凸点的倒装芯片与预设基板进行对位，以使所述球形焊料凸点与所述预设基板上的第一金属焊盘所在位置对应；控制所述倒装芯片与所述预设基板之间的距离为预设距离；采用回流焊工艺使所述球形焊料凸点融化，形成与所述第一金属焊盘连接的沙漏型焊料凸点。该方法形成连接倒装芯片和预设基板之间的焊料凸点的过程中，将倒装芯片和预设基板之间的距离控制为预设距离，以防止回流焊工艺中倒装芯片上的球形焊料凸点在倒装芯片的重压作用下形成鼓形焊料凸点，从而带来使用过程中电流聚集、焊点寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN120008236A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510133119.4
申请日：2025-02-06
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供一种基于双极型热电制冷结构的便携式半导体极低温制冷装置。该制冷装置包括循环组件、第一制冷组件和第二制冷组件。循环组件具有循环管路，循环管路内部设有冷却介质；第一制冷组件连通设于循环管路，第一制冷组件用于对冷却介质进行降温；第二制冷组件与第一制冷组件串连于循环管路，第一制冷组件流出的冷却介质经第二制冷组件回流至循环组件；第二制冷组件具有第一热端和第一冷端，第一冷端用于制冷，第二制冷组件内部的冷却介质用于冷却第一热端。本发明解决了现有技术中的制冷设备体积较大、不便携带的问题。本发明减小了制冷装置的体积，大大提高了制冷装置的便携性。
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公开(公告)号：CN118712079B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411188988.9
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜/银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜/银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜/银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的铜/银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜/银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。
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公开(公告)号：CN115101507B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210670396.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术、微机电系统封装技术以及三维集成技术封装领域，涉及一种晶圆级金属微凸点制备技术，具体是一种超窄节距(节距小于50μm)nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法。本发明的nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点与普通铜凸点相比，应力小，组织均匀、稳定，工艺简单，只需要控制复合凸点的尺寸和微观结构，就可以充分利用纳米孪晶铜的综合力学性能，从而获得具有高强度，高导电性能及高可靠性能的nt‑Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构。
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公开(公告)号：CN118709450A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411188934.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G16C10/00 , G16C20/50 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种高塑性银基固溶体的筛选方法和装置，涉及电子封装技术领域，方法包括：获取待筛选的多种溶质，并建立每种溶质对应的银基无序固溶体模型，以及纯银模型；其中，银基无序固溶体模型为在纯银模型中替换任一种溶质得到的，每种溶质对应的银基无序固溶体模型和纯银模型具有相同的原子数和晶体结构；基于每种溶质对应的银基无序固溶体模型的第一计算结果以及纯银模型的第二计算结果的差值得到每种溶质的塑性结果，并基于每种溶质的塑性结果进行筛选，确定差值符合预设范围的溶质对应的银基无序固溶体为目标银基无序固溶体。通过本发明提供的方法，对具有高塑性的银基固溶体类型进行筛选，大大减少了实验研究的时间和金钱成本。
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