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公开(公告)号：CN113485072B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113234194B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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公开(公告)号：CN112778437B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN113485072A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。
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公开(公告)号：CN113105330A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110409013.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种酚类化合物以及制备方法和应用、光刻胶，属于光刻技术领域。本申请的酚类化合物能够对光刻胶的分辨率进行改善，同时使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为较好的感光度、更大的对比度、侧壁角较垂直的形貌及更大的工艺窗口。光刻胶包括10～30wt％酚醛树脂、2～10wt％重氮萘醌感光剂、0.1～5wt％流平剂、40～80wt％溶剂和0.1～10wt％酚类化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112799280A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011643470.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/022 , G03F7/023 , C07C309/66 , C07C309/65
Abstract: 本申请提供硝基苯甲醇磺酸酯化合物作为增速剂在光刻胶中的应用、用于制备光刻胶的组合物，属于半导体材料技术领域。硝基苯甲醇磺酸酯化合物在受热后会分解产生路易斯质子酸，使其能够作为增速剂添加到酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶和化学放大光刻胶中，提升光刻胶的感光速度，光刻胶的感光能力提升20％以上。在酚醛树脂‑重氮奈醌型光刻胶中，增速剂能够在胶膜底部释放的相对浓度更高的路易斯质子酸，从而弥补了胶膜底部生成的茚酸不足的缺陷，帮助树脂在胶膜底部快速溶解。在化学放大光刻胶中，增速剂和产酸剂协同作用在曝光区域沿着胶膜厚度纵向方向产生良好的路易斯质子酸环境，从而提升光刻胶感光速度和消除图形不垂直等形貌缺陷。
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公开(公告)号：CN112778437A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN113234194A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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公开(公告)号：CN113419404B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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公开(公告)号：CN113419404A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110731453.1
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶组合物，属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括：100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2～30重量份光致产酸剂和0.01～5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物，碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合，能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时，三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌，降低顶部损失，降低粗糙度。
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