公开(公告)号：CN116313529B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202211500975.1

申请日：2022-11-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴俊升 ,  薛伟 ,  董超芳 ,  张博威 ,  李新芳 ,  左宏 ,  游彭飞 ,  刘鹏飞 ,  肖葵 ,  李晓刚 ,  何业东

IPC: H01G9/055

Abstract: 本发明公开了一种高压阳极铝箔腐蚀发孔表面预处理方法，涉及高性能铝电解电容器中所使用的高压阳极铝箔的制造领域。本发明针对高压阳极铝箔制造过程中腐蚀发孔不均匀、隧道孔并孔等问题，在腐蚀发孔工艺前，首先采用酸性溶液抛光去除铝箔表面轧痕缺陷和氧化膜，并进一步对抛光整平后的铝箔表面进行自组装掺杂缓蚀剂的高分子膜，经过两步组合预处理来改善铝箔腐蚀发孔均匀性，减轻腐蚀发孔和扩孔过程中的并孔现象，进而提高高压阳极铝箔比电容和综合性能。

公开(公告)号：CN116313529A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211500975.1

申请日：2022-11-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 吴俊升 ,  薛伟 ,  董超芳 ,  张博威 ,  李新芳 ,  左宏 ,  游彭飞 ,  刘鹏飞 ,  肖葵 ,  李晓刚 ,  何业东

IPC: H01G9/055

Abstract: 本发明公开了一种高压阳极铝箔腐蚀发孔表面预处理方法，涉及高性能铝电解电容器中所使用的高压阳极铝箔的制造领域。本发明针对高压阳极铝箔制造过程中腐蚀发孔不均匀、隧道孔并孔等问题，在腐蚀发孔工艺前，首先采用酸性溶液抛光去除铝箔表面轧痕缺陷和氧化膜，并进一步对抛光整平后的铝箔表面进行自组装掺杂缓蚀剂的高分子膜，经过两步组合预处理来改善铝箔腐蚀发孔均匀性，减轻腐蚀发孔和扩孔过程中的并孔现象，进而提高高压阳极铝箔比电容和综合性能。