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公开(公告)号：CN114951607A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210649979.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法，属于电子封装功能材料领域，本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性，随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料，其中Cu在熔点以上进行熔渗，熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞，同时石墨泡沫作为增强体，具有复杂的三维结构，结构稳定，强度高，各项力学性能均较为优异，进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀，且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低，是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN116313529B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202211500975.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明公开了一种高压阳极铝箔腐蚀发孔表面预处理方法，涉及高性能铝电解电容器中所使用的高压阳极铝箔的制造领域。本发明针对高压阳极铝箔制造过程中腐蚀发孔不均匀、隧道孔并孔等问题，在腐蚀发孔工艺前，首先采用酸性溶液抛光去除铝箔表面轧痕缺陷和氧化膜，并进一步对抛光整平后的铝箔表面进行自组装掺杂缓蚀剂的高分子膜，经过两步组合预处理来改善铝箔腐蚀发孔均匀性，减轻腐蚀发孔和扩孔过程中的并孔现象，进而提高高压阳极铝箔比电容和综合性能。
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公开(公告)号：CN114951607B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210649979.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种真空熔渗法制备石墨泡沫/Cu复合材料的方法，属于电子封装功能材料领域，本发明在石墨泡沫表面施覆一层碳化钼层以改善铜与石墨表面的浸润性，随后进行真空熔渗获得铜/石墨泡沫复合材料，其中Cu在熔点以上进行熔渗，熔融的铜溶液在重力以及毛细管力的作用下填充石墨泡沫内部的孔洞，同时石墨泡沫作为增强体，具有复杂的三维结构，结构稳定，强度高，各项力学性能均较为优异，进而所获得的石墨泡沫/Cu复合材料高导热、低密度、低膨胀，且相比于传统的金刚石增强铜基复合材料后期加工处理难度极低，是一种应用前景非常好的电子封装用基体材料。
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公开(公告)号：CN116313529A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211500975.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G9/055
Abstract: 本发明公开了一种高压阳极铝箔腐蚀发孔表面预处理方法，涉及高性能铝电解电容器中所使用的高压阳极铝箔的制造领域。本发明针对高压阳极铝箔制造过程中腐蚀发孔不均匀、隧道孔并孔等问题，在腐蚀发孔工艺前，首先采用酸性溶液抛光去除铝箔表面轧痕缺陷和氧化膜，并进一步对抛光整平后的铝箔表面进行自组装掺杂缓蚀剂的高分子膜，经过两步组合预处理来改善铝箔腐蚀发孔均匀性，减轻腐蚀发孔和扩孔过程中的并孔现象，进而提高高压阳极铝箔比电容和综合性能。
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公开(公告)号：CN112694335B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011603006.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01L23/24 , H01L23/18
Abstract: 本发明涉及一种三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨，制备流延浆料；将流延浆料进行流延成型，干燥，制备流延坯；在流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石，制备三维连续结构金刚石‑碳化硅基板。通过以聚碳硅烷为陶瓷前驱体，流延成型法制备薄板状多孔碳化硅，化学气相渗透法在多孔碳化硅上沉积致密的金刚石，达到了致密化的目的。本发明中的三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，不仅克服了硅蒸汽渗透法导致的基体中大量硅残余与金刚石易石墨化的问题，还有利于提高复合材料热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111484330A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010284460.7
申请日：2020-04-13
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/532 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01L23/15 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种金刚石增强碳化硅基板及其制备方法和电子产品。上述金刚石增强碳化硅基板的制备方法包括如下步骤：将金刚石、石墨、分散剂、粘结剂、塑化剂与溶剂进行湿法球磨，得到流延浆料；将流延浆料进行流延成型，得到流延坯，流延坯的厚度为0.3mm～0.55mm；将流延坯与硅粉进行气相熔渗，得到金刚石增强碳化硅基板。上述金刚石增强碳化硅基板的制备方法能够使制备得到的金刚石增强碳化硅基板的尺寸可控、致密度高，且导热性好。
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公开(公告)号：CN118668235A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410755438.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京科技大学
IPC: C25B11/077 , C25B11/061 , C25B11/054 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00
Abstract: 本申请公开了一种镍基非晶态高熵硼磷化物电极及其制备方法。其中，制备方法包括：对基底泡沫镍进行刻蚀处理，获得具有若干凹坑的泡沫镍，该泡沫镍的外表面包括凹坑外表面和普通外表面；根据氯化铵‑氨水溶液、高熵金属盐制备高熵前驱体溶液；根据第一还原剂、第二还原剂、碱性溶液获得还原溶液；将泡沫镍加到高熵前驱体溶液中，处理获得包含固体的混合溶液，将还原溶液加到该混合溶液中，处理后在室温中静置，获得包含附着于泡沫镍外表面的非晶态高熵硼磷化物的镍基非晶态高熵硼磷化物电极；非晶态高熵硼磷化物在凹坑外表面的附着力大于在普通外表面的附着力。该方法制备的电极，为自支撑式原位一体生长，稳定性强、耐久性好，成本低、操作简单。
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公开(公告)号：CN114921682B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210740552.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
Abstract: 本发明公开了一种高导热各向同性的石墨球‑铜基复合材料及其制备方法，所述高导热各向同性的石墨球‑铜基复合材料由纯铜粉末、石墨球颗粒组成，其中纯铜粉末所占体积分数为10～50％，粒径为50μm，石墨球颗粒所占体积分数为50～90％，石墨球颗粒粒径为33μm，且所述石墨球颗粒采用盐浴镀进行表面改性，并与纯铜粉末在机械混合后经过放电等离子活化烧结进行成品制备，所生产的复合材料具有近似各向同性高热导率、低热膨胀系数的优异性能，该复合材料的制备方法简单可靠，热导率各向同性度较好。
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公开(公告)号：CN119623932A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411610784.X
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京科技大学 , 新疆众和股份有限公司
IPC: G06Q10/0631 , C25C3/06 , G06Q50/04 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电解铝能耗与成分预测实现电解铝工艺优化的方法，属于电解高纯铝应用技术领域，其包括：采集电解铝工艺生产过程中的工艺参数，通过对数据进行关联性分析和理论分析，筛选出模型输入参数和模型输出参数，构建样本数据集；采用预设的机器学习模型构建电解铝能耗与成分预测模型；利用样本数据集对电解铝能耗与成分预测模型进行训练；利用训练好的电解铝能耗与成分预测模型预测出给定工艺参数下的电解铝能耗与成分；并通过对模型输出量的分析，找到最优工艺参数，以优化电解工艺。本发明可避免实验耗时耗力的问题，降低工艺优化成本，提高工艺优化效率，从而提供潜在的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN112694335A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011603006.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京科技大学广州新材料研究院
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , H01L23/24 , H01L23/18
Abstract: 本发明涉及一种三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，包括如下步骤：将聚碳硅烷、硅粉、分散剂、粘结剂、塑化剂和溶剂混合后进行湿法球磨，制备流延浆料；将流延浆料进行流延成型，干燥，制备流延坯；在流延坯中通过化学气相渗透过程填充金刚石，制备三维连续结构金刚石‑碳化硅基板。通过以聚碳硅烷为陶瓷前驱体，流延成型法制备薄板状多孔碳化硅，化学气相渗透法在多孔碳化硅上沉积致密的金刚石，达到了致密化的目的。本发明中的三维连续结构金刚石‑碳化硅基板的制备方法，不仅克服了硅蒸汽渗透法导致的基体中大量硅残余与金刚石易石墨化的问题，还有利于提高复合材料热导率。
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