-
公开(公告)号：CN109755148B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201811565080.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
-
公开(公告)号：CN109755148A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811565080.X
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于InP、GaN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括以下步骤：在试样表面转移石墨烯；将试样放置于二次离子质谱仪的样品腔室内，并抽真空；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度分布图像；根据质谱图和二次离子深度分布图像获得所述试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案的可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
-
公开(公告)号：CN109580764B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201811563964.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明提供一种用于半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法,所述方法包括：步骤S1、在试样表面蒸镀石墨烯；步骤S2、将试样放置于二次离子深度剖析仪的进样室内，并抽真空；步骤S3、向进样室内通入氧气；步骤S4、使用氩气团簇离子和氧离子共同轰击试样；步骤S5、调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；步骤S6、通过质量分析器收集二次离子；步骤S7、对二次离子进行分析获得深度剖析图和二次离子质量分布图像；步骤S8、根据深度剖析图和二次离子质量分布图像获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质元素的浓度及分布进行优化检测。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109580764A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811563964.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明提供一种用于半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法,所述方法包括：步骤S1、在试样表面蒸镀石墨烯；步骤S2、将试样放置于二次离子深度剖析仪的进样室内，并抽真空；步骤S3、向进样室内通入氧气；步骤S4、使用氩气团簇离子和氧离子共同轰击试样；步骤S5、调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；步骤S6、通过质量分析器收集二次离子；步骤S7、对二次离子进行分析获得深度剖析图和二次离子质量分布图像；步骤S8、根据深度剖析图和二次离子质量分布图像获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质元素的浓度及分布进行优化检测。
-
公开(公告)号：CN109580688B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201811565087.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域，提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法，包括：制备样品，样品包括M个测试区域，不同的测试区域的GaN的厚度不同，使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域，使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射，获取电子能量损失谱，根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；按照相同的方式分析第2～M个测试区域；根据第1～M个测试区域内的杂质原子的数量，得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％。
-
公开(公告)号：CN109632925A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811578076.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括：在试样表面转移石墨烯；将转移石墨烯的试样放置于二次离子质谱仪的样品室内，并抽真空；向样品室内通入氧气；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图；获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对AlN中痕量杂质元素浓度及分布进行高精度检测，可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
-
公开(公告)号：CN109580688A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811565087.1
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及材料检测技术领域，提供了一种用于GaN中痕量杂质元素浓度及分布的高精度检测方法，包括：制备样品，样品包括M个测试区域，不同的测试区域的GaN的厚度不同，使用入射电子束入射至样品的第1个测试区域，使入射电子束中的电子发生弹性散射和非弹性散射，获取电子能量损失谱，根据电子能量损失谱分析第1个测试区域内的杂质原子的种类以及杂质原子的数量；按照相同的方式分析第2～M个测试区域；根据第1～M个测试区域内的杂质原子的数量，得到样品中痕量杂质元素的深度纵向分布。本发明能够对半导体GaN中的痕量杂质元素的种类和浓度进行高精度检测，体浓度检测极限可以达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％。
-
公开(公告)号：CN109632925B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811578076.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种用于AlN中痕量杂质元素浓度及分布的SIMS优化检测方法，属于材料检测技术领域。该方法包括：在试样表面转移石墨烯；将转移石墨烯的试样放置于二次离子质谱仪的样品室内，并抽真空；向样品室内通入氧气；从试样溅射出二次离子；调节提取电压的脉冲宽度以及每个循环周期的分析帧数；收集所述二次离子；对二次离子进行分析获得质谱图和二次离子深度剖析图；获得试样中痕量杂质元素的检测结果。本发明的技术方案能够对AlN中痕量杂质元素浓度及分布进行高精度检测，可检测的痕量杂质元素种类多，体浓度检测极限达到ppb级，杂质元素测试精度可达10％以下，杂质元素分布的分辨率＜10nm。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.041 seconds)
