公开(公告)号：CN119640162A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411932555.X

申请日：2024-12-26

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 李然 ,  赵恒博 ,  毕甲紫 ,  刘晓斌 ,  张涛

IPC: C22C45/00 ,  C22C1/11 ,  C22C1/10 ,  C22C1/03

Abstract: 本发明提供一种Os基高温非晶合金材料及其制备方法。Os基高温非晶合金材料的化学式为OsaBbMc，是以Os元素为主，小原子元素B为第二元元素，M元素包括Zr、Hf、V、Ta和W中的至少一种。a、b和c为相应元素的原子百分含量，a＝39～50、b＝34～44、c＝12～24、且各元素原子百分含量加和a+b+c＝100。本发明提供的Os基高温非晶合金材料具有高的玻璃化转变温度和结晶化温度，同时兼顾优异的室温和高温力学性能，实验数据表明，其玻璃化转变温度为1040K‑1283K；维氏显微硬度值在16.74GPa以上。另外，在制备方法上，本发明还提供了以激光熔淬技术和XRD物相测试相结合，对非晶合金的合金组分快速验证的方法。

公开(公告)号：CN113088835A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110300794.3

申请日：2021-03-22

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 李然 ,  刘晓斌 ,  毕甲紫 ,  张涛

IPC: C22C45/04 ,  B22D23/00 ,  B22F9/08 ,  C23C24/10 ,  G21F1/02 ,  G21F1/08

Abstract: 本发明公开了一种用作中子屏蔽的Co－Ta－B－Si块体非晶合金材料及其制备方法，所述Co－Ta－B－Si块体非晶合金由5～15at％的Ta、17～34at％的B、1～10at％的Si和余量的Co组成。Co－Ta－B－Si块体非晶合金具有高硼含量。在0.15nm～0.85nm的宽波长范围内中子透射率小于50％。特别是波长为0.85nm的中子，其透过率仅为10.0～25.0％。本发明块体非晶合金具有高硬度、高强度、高形成能力基础上，同时保留一定塑性的特点，能用于宽范围的中子屏蔽涂层，以及可用在齿轮等零件的耐磨涂层。

公开(公告)号：CN103010459B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201210531873.6

申请日：2012-12-11

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 刘沛清 ,  李芳丽 ,  屈秋林 ,  郭昊 ,  田云 ,  刘晓斌

IPC: B64C21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于尾缘微穿孔降低前缘缝翼气动噪声的方法，具体为：在前缘缝翼的尾缘处，沿机翼展向设置一排小孔，小孔之间等间距设置。所述的小孔展向打孔率为2%，即通过小孔中心沿缝翼展向方向做一线段，线段长度为缝翼展向厚度，其中，所有小孔直径在此线段上所占据的长度和为整个展向厚度的2%。所述的小孔直径为0.8~1mm，小孔中心与尾缘的距离为3~5mm。本发明中不仅声波在小孔中消耗部分能量，而且主要由于缝翼上下表面压差，使得下表面的少量气流通过小孔流向上表面，通过局部改变尾缘前的气流流动，进而影响尾缘涡脱落行为，由此达到降低由缝翼产生的高频尖频气动噪声的目的，同时保证气动力基本不受影响，且在工程应用上便于实现。

公开(公告)号：CN103010459A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210531873.6

申请日：2012-12-11

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 刘沛清 ,  李芳丽 ,  屈秋林 ,  郭昊 ,  田云 ,  刘晓斌

IPC: B64C21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于尾缘微穿孔降低前缘缝翼气动噪声的方法，具体为：在前缘缝翼的尾缘处，沿机翼展向设置一排小孔，小孔之间等间距设置。所述的小孔展向打孔率为2%，即通过小孔中心沿缝翼展向方向做一线段，线段长度为缝翼展向厚度，其中，所有小孔直径在此线段上所占据的长度和为整个展向厚度的2%。所述的小孔直径为0.8~1mm，小孔中心与尾缘的距离为3~5mm。本发明中不仅声波在小孔中消耗部分能量，而且主要由于缝翼上下表面压差，使得下表面的少量气流通过小孔流向上表面，通过局部改变尾缘前的气流流动，进而影响尾缘涡脱落行为，由此达到降低由缝翼产生的高频尖频气动噪声的目的，同时保证气动力基本不受影响，且在工程应用上便于实现。

公开(公告)号：CN114923906A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210530885.0

申请日：2022-05-16

Applicant: 北京航空航天大学

Inventor： 李然 ,  刘晓斌 ,  毕甲紫

IPC: G01N21/84 ,  G01N1/28 ,  G01N1/44

Abstract: 本发明提供了一种快速筛选高形成能力非晶合金成分及定位晶化区域的方法，涉及非晶合金材料技术领域。具体通过表征合金的自由面形貌，即可实现对非晶合金成分快速筛选；通过对合金表面的高度轮廓进行测量并进行二阶微分变换，可更高精度观察得到表面的微小晶粒。通过对晶粒区间所占比例进行统计，可得到非晶相对含量。可选地，光学显微镜的暗场相也可实现对样品表面非晶相对含量的定量化分析。另外，通过自由表面形貌表征和高度轮廓曲线的二阶微分曲线结合分析，可对晶化区域实现快速定位。与传统的非晶结构表征方式相比，本发明可快速筛选非晶合金成分区间、定量统计晶体相对含量和晶粒相对尺寸、定位晶化区域，表征效率高、准确率高、成本低。