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公开(公告)号：CN118607422A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410749858.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京芯驰半导体科技股份有限公司
Inventor： 张善钰
IPC: G06F30/30 , G06F1/3234
Abstract: 本申请公开了一种芯片内存储器的功耗控制装置、方法和芯片，该装置包括熔断控制器和功耗控制模块，熔断控制器，用于响应于对芯片的上电信号，向功耗控制模块和存储器的存储器控制器提供配置信号，配置信号表征了存储器中需要被禁用的目标区域和不需要被禁用的非目标区域；功耗控制模块，用于根据配置信号分别向存储器所在域输出第一上电信号，向目标区域输出第一断电信号，向非目标区域输出第二上电信号，以将目标区域配置为断电模式，将非目标区域配置为活动模式。利用熔断控制器和功耗控制模块实现对存储器进行更小粒度的禁用控制，并可降低存储器的静态功耗，从而实现更加灵活高效的对存储器进行功耗控制。
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