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公开(公告)号：CN118829196A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310409825.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京超弦存储器研究院
IPC: H10B12/00 , G11C11/4097 , G11C11/409 , G11C8/14
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构、存储器、电子设备、存储电路及读写方法，半导体结构包括沿第一方向依次叠置的第一有源柱和第二有源柱，以及沿第一方向依次叠置的第一栅导电层和第二栅导电层；第一有源柱和第二有源柱均沿第二方向延伸；第一栅导电层周向环绕第一有源柱的部分侧壁；第二栅导电层周向环绕第二有源柱的部分侧壁；其中，第一有源柱和第一栅导电层用于构成第一晶体管，第二有源柱和第二栅导电层用于构成第二晶体管；第一方向与第二方向相交。上述半导体结构在提高器件集成度的同时，还能减小漏电流、提升写入速度，并且降低存储器的控制技术复杂度、提高效率、减少刷新时间，进而提高器件的整体性能。
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