公开(公告)号：CN117953940A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202410046586.9

申请日：2024-01-11

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  清华大学

Inventor： 潘立阳 ,  张志刚 ,  朱殿尧

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4094

Abstract: 本公开提供了具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构。该DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的DRAM阵列结构包括：衬底；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第一存储电容器，设置在衬底上；偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第一位线，设置在第一存储电容器上方；各DRAM单元结构的选通晶体管，设置在第一存储电容器和第一位线上，其中，邻行的DRAM单元结构的选通晶体管共享第一层字线和第二层字线；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第二位线，设置选通晶体管上；以及偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第二存储电容器，设置在第二位线上方，其中，第一存储电容器和第二存储电容器分别排列成第一存储电容器阵列和第二存储电容器阵列。

公开(公告)号：CN117939881A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410043093.X

申请日：2024-01-11

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  清华大学

Inventor： 潘立阳 ,  张志刚 ,  朱殿尧

IPC: H10B12/00

Abstract: 本公开提供了用于制造具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构的方法，其中DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的用于制造DRAM阵列结构的方法包括：在基层上设置停止层和有源层；在有源层中形成沿列方向延伸的多个位线隔离槽和沿行方向延伸的多个字线槽以形成各DRAM单元结构的有源区；在奇数列或偶数列的DRAM单元结构的有源区的一端形成第一存储电容器；在偶数列或奇数列的DRAM单元结构的有源区的一端形成第一位线；翻转DRAM阵列结构并且去除基层和停止层；在奇数列或偶数列的DRAM单元结构的有源区的另一端形成第二位线；以及在偶数列或奇数列的DRAM单元结构的有源区的另一端形成第二存储电容器。