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公开(公告)号：CN119263195A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236649.3
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种双面硅化合物接触式掩膜板，掩膜板以硅基板为中间层，硅基板的一面沉积第一SiO2薄膜，硅基板的另一面沉积第二SiO2薄膜，第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜分别刻蚀有图形，第一SiO2薄膜上的图形与卤化物钙钛矿量子点图形一致，第二SiO2薄膜的图形为卤化物钙钛矿量子点图形沿同一Z轴方向扩大一定倍数的图形。同时提供其相应制备方法和利用其制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法。本发明利用感应耦合等离子刻蚀技术，同时借助双面硅化合物接触式掩膜板，对钙钛矿量子点薄膜进行微米级图形化，适用于全部钙钛矿薄膜材料，扩宽了制造各类功能材料的兼容性，也为钙钛矿量子点阵列器件制备提供新的图形化方案工艺策略。
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