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公开(公告)号：CN119263197A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236652.5
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法，包括以下步骤：1）制备卤化物钙钛矿薄膜；2）离子刻蚀阵列图形：在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板，掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应，利用电感耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀后，取下掩膜板，形成卤化物钙钛矿薄膜阵列图形。本发明利用不锈钢掩膜板作为钙钛矿阵列图形化（百微米级及以上）的刻蚀掩膜工具，利用电感耦合等离子技术激发的游离态电子，氟基和氯基离子对掩膜板之外的卤化物钙钛矿薄膜材料进行两次刻蚀，实现钙钛矿薄膜图形化，未同任何溶剂接触，有效防止钙钛矿薄膜因非极性溶剂而被腐蚀，且不受钙钛矿种类制约，适用于全部种类的钙钛矿薄膜材料。
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公开(公告)号：CN119291989A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411236655.9
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于刻蚀矩形阵列点矩阵的掩膜板，并利用利用其制备阵列点矩阵图形的方法。本发明首次提出了一种干法刻蚀矩形阵列点矩阵阵列点图形化的掩膜板及方法；规避了光刻胶或极性溶剂等使用，提升了MEMS工艺包容性，使更多性能优越的新型薄膜可以应用在微电子器件中；利用本发明版图刻蚀法制作的阵列图形，可以兼容在任何MEMS制造工厂中，基板与掩膜的对位标可兼容在第一层电路布线工艺中，节约制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119263196A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236650.6
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法，包括以下步骤：a、硅基板预处理；b、在步骤a预处理后的硅基板上涂覆光刻胶，软烘、静置后，曝光、显影、定影，后烘，在硅基板上形成所需图案；c、对步骤b的硅基板进行刻蚀、清洗，得掩膜板。同时提供利用该掩膜板制备钙钛矿阵列图形的方法。本发明采取干法刻蚀制备钙钛矿陈列图形，利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，工艺简单，反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本，为钙钛矿阵列图形化方案提出了新的工艺策略，降低侧腐，提升图形化精准度，适用于微米级图形刻蚀。
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公开(公告)号：CN119263199A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236656.3
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法，包括以下步骤：1)衬底/基底清洗；2)沉积钙钛矿薄膜；3)钙钛矿薄膜的反应离子束刻蚀。本发明首次提出利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿，为钙钛矿阵列图案化方案提出了新的工艺策略；而且本发明干法刻蚀钙钛矿工艺规避了钙钛矿遇溶剂腐蚀的情况，且不受钙钛矿种类制约，适用于全部种类的钙钛矿薄膜材料；相对于以往提出的模板法制作钙钛矿图形化工艺更加简单，其次反应离子束刻蚀设备构造简单，设备廉价，兼容于所有MEMS规模制造工厂，很大程度上降低了制造成本；适用于任何基底或衬底材料，扩宽了制造各类功能材料的兼容性。
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公开(公告)号：CN119263198A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236654.4
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于刻蚀方阵阵列图形的掩膜板及利用其刻蚀方阵阵列图形的方法，本发明干法刻蚀刻蚀方阵图形化的掩膜板及方法，规避了光刻胶或极性溶剂等使用，提升了MEMS工艺包容性，使更多性能优越的新型薄膜可以应用在微电子器件中；利用本发明版图刻蚀法制作的阵列图形，可以兼容在任何MEMS制造工厂中，基板与掩膜的对位标可兼容在第一层电路布线工艺中，节约制造成本。
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公开(公告)号：CN119263195A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411236649.3
申请日：2024-09-04
Applicant: 北京量子信息科学研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开一种双面硅化合物接触式掩膜板，掩膜板以硅基板为中间层，硅基板的一面沉积第一SiO2薄膜，硅基板的另一面沉积第二SiO2薄膜，第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜分别刻蚀有图形，第一SiO2薄膜上的图形与卤化物钙钛矿量子点图形一致，第二SiO2薄膜的图形为卤化物钙钛矿量子点图形沿同一Z轴方向扩大一定倍数的图形。同时提供其相应制备方法和利用其制备卤化物钙钛矿量子点图形的方法。本发明利用感应耦合等离子刻蚀技术，同时借助双面硅化合物接触式掩膜板，对钙钛矿量子点薄膜进行微米级图形化，适用于全部钙钛矿薄膜材料，扩宽了制造各类功能材料的兼容性，也为钙钛矿量子点阵列器件制备提供新的图形化方案工艺策略。
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公开(公告)号：CN116675174A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310465100.0
申请日：2023-04-26
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本申请公开一种集成反应键合体系，包括：上基片、反应放热系统、下基片；其中，所述反应放热系统垂直于上基片和下基片之间；所述反应放热系统包括至少两种组元；所述至少两种组元具有底端和开放端；所述底端附着于所述下基片表面；所述至少两种组元的侧面互相接触。上述反应键合体系作为热源，易点燃，放热稳定，不产生形成界面原子互混导致热量减低的问题。特别适合于半导体、MEMS等微系统中导热性较差的基片上集成热源。通过改变组元比例，调整体系放热量，实现片上器件的低温、低应力键合。
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