设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109672420B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201811548820.9

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 一种设置镁铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为镁铝合金膜,本发明采用镁铝合金作为溅射膜,镁为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高传声效率,镁作为连接材料,增大导电层与基片层之间的结合力,如此解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109672420A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811548820.9

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 一种设置镁铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为镁铝合金膜,本发明采用镁铝合金作为溅射膜,镁为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高传声效率,镁作为连接材料,增大导电层与基片层之间的结合力,如此解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    设置铍铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660225A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811552537.3

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种设置铍铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为铍铝合金膜,本发明采用铍铝合金作为溅射膜,铍为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高其传声效率,如此利用铍解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    滤波器用复合压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660224B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN201811548827.0

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种滤波器用复合压电基片,包括依次设置的压电基片层、过渡层、导电层,所述过渡层为铍膜,所述导电层为铝膜,本发明采用同样是六方晶系的铍或镁作为过渡膜生长在压电基片表面上,同种晶格结构的铍或镁与压电基片之间结合良好,解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,铍或镁膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好。

    设置铍铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660225B

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN201811552537.3

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种设置铍铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为铍铝合金膜,本发明采用铍铝合金作为溅射膜,铍为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高其传声效率,如此利用铍解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    滤波器用复合压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660224A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811548827.0

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种滤波器用复合压电基片,包括依次设置的压电基片层、过渡层、导电层,所述过渡层为铍膜,所述导电层为铝膜,本发明采用同样是六方晶系的铍或镁作为过渡膜生长在压电基片表面上,同种晶格结构的铍或镁与压电基片之间结合良好,解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,铍或镁膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好。

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