设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109672420B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201811548820.9

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 一种设置镁铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为镁铝合金膜,本发明采用镁铝合金作为溅射膜,镁为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高传声效率,镁作为连接材料,增大导电层与基片层之间的结合力,如此解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    导模法生长(近)化学计量比钽酸锂(LiTaO3)晶体的方法

    公开(公告)号:CN111549374A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010568881.2

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 一种导模法生长(近)化学计量比钽酸锂(LiTaO3)晶体的方法,向坩埚中加入多晶料,将导模模具放入坩埚中,导模模具包括水平横板、竖直纵板,竖直纵板从上而下设有毛细缝隙,加热坩埚使多晶料熔融,并使导模模具的竖直纵板的下端面浸入多晶料的熔融体底部,以使多晶料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着毛细缝隙从导模模具的竖直纵板的下端面上升至导模模具的竖直纵板的上端面,在导模模具的竖直纵板的上端面下籽晶并提拉成均匀板条状单晶,采用导模法生长SLT晶体,可以灵活控制Li、Ta比,并解决了在近化学计量比点生长SLT晶体的问题,可制得组分均匀的SLT晶体。

    一种制备SiO粉末的方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107640774B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201711023580.6

    申请日:2017-10-27

    Abstract: 一种制备SiO粉末的方法,涉及一氧化硅的制备技术领域,以多晶硅粉或多晶硅块与石英棒为制备SiO的原材料,置于坩埚内,在熔融状态下反应生成SiO蒸汽,再将SiO蒸汽与氩气的混合气体通入水冷沉积装置进行冷却沉积,在熔融反应时,使石英棒和坩埚内多晶硅熔体保持相反方向不断旋转接触,以使石英棒与多晶硅熔体充分反应,以提高熔融反应速度,反应生成的SiO蒸汽经水冷沉积装置冷却后形成SiO粉末后沉积至沉积箱四周外壁上分离出,氩气经过水冷沉积装置内沉积箱四周外壁上的微小通孔进入沉积箱内腔后经出气管进入氩气收集处理装置,经处理后又重新进入熔融反应装置内循环利用。

    设置镁铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109672420A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811548820.9

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 一种设置镁铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为镁铝合金膜,本发明采用镁铝合金作为溅射膜,镁为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高传声效率,镁作为连接材料,增大导电层与基片层之间的结合力,如此解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    设置铍铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660225A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811552537.3

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种设置铍铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为铍铝合金膜,本发明采用铍铝合金作为溅射膜,铍为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高其传声效率,如此利用铍解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    滤波器用复合压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660224B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN201811548827.0

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种滤波器用复合压电基片,包括依次设置的压电基片层、过渡层、导电层,所述过渡层为铍膜,所述导电层为铝膜,本发明采用同样是六方晶系的铍或镁作为过渡膜生长在压电基片表面上,同种晶格结构的铍或镁与压电基片之间结合良好,解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,铍或镁膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好。

    设置铍铝合金膜的多层压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660225B

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN201811552537.3

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种设置铍铝合金膜的多层压电基片,包括依次设置的压电基体层、导电层,所述导电层为铍铝合金膜,本发明采用铍铝合金作为溅射膜,铍为六方晶系,易于与相同晶格结构的压电基体层结合,而合金中的铝则可以作为传声的材料,提高其传声效率,如此利用铍解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,合金膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好,不易脱落。

    提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体的方法

    公开(公告)号:CN111549373A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010406016.8

    申请日:2020-05-14

    Abstract: 一种提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体的方法,该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶,在硅酸铋晶体生长过程中,调整硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定,或调整硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定,以使生长的硅酸铋晶体组分均匀,采用本发明的方法,在提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)非一致熔融晶体过程中,依照一定的曲线改变晶体生长过程中的提拉速度、旋转速度,使得硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定,或硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定,可有效改善硅酸铋晶体成分的不均匀性。

    滤波器用复合压电基片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109660224A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811548827.0

    申请日:2018-12-18

    Abstract: 本发明提出一种滤波器用复合压电基片,包括依次设置的压电基片层、过渡层、导电层,所述过渡层为铍膜,所述导电层为铝膜,本发明采用同样是六方晶系的铍或镁作为过渡膜生长在压电基片表面上,同种晶格结构的铍或镁与压电基片之间结合良好,解决了铝膜与压电基片之间由于晶格结构不同而导致的结合不良的问题;并且,铍或镁膜与铝膜均为金属膜,二者依靠金属键结合,结合状态良好。

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