公开(公告)号：CN111229272A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010060540.4

申请日：2020-01-19

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 任杰 ,  宗晖 ,  郁可 ,  朱自强

IPC: B01J27/22 ,  C25B11/06 ,  C25B1/04

Abstract: 本发明公开了一种三元层状碳化物Mo2Ga2C复合花状MoS2纳米颗粒复合材料及制备方法和应用。所述复合材料以花状MoS2纳米颗粒作为复合物，三元层状碳化物Mo2Ga2C作为搭载基底材料；所述三元层状碳化物Mo2Ga2C的长约为5μm，宽约为3μm，为一种六方晶相的层状物骨架材料，其中两个Ga层以简单的六角形排列堆叠在Mo2C层之间。密堆积的Mo原子与双层Ga交错，形成Mo-Mo-Ga-Ga-Mo-Mo分层，其中两个Ga层正好位于彼此的顶部(不是紧密堆积)。碳原子占据Mo原子之间的八面体位点。所述花状MoS2纳米颗粒均匀分布在层状Mo2Ga2C的表面，形成稳定的搭载结构。本发明还公开了所述复合材料的制备方法，所述制备方法成本低，制备条件简单，重复性高。本发明还提供了所述纳米材料作为水裂解催化电极方面的应用，所述电极材料具有导电性高，循环稳定性强等优点。

公开(公告)号：CN110586162A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910905414.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 宗晖 ,  郁可 ,  冯宇 ,  王振国 ,  任杰 ,  胡乐 ,  朱自强

IPC: B01J27/24 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06 ,  B01J35/10

Abstract: 本发明公开了一种掺杂二硒化钼的层状氮化二钛纳米复合材料及制备方法和应用，其复合材料以花状MoSe2纳米颗粒作为掺杂物，手风琴状氮化二钛层状纳米片作为搭载基底材料；所述手风琴型氮化二钛是由长约3~4μm，宽约1~2μm的二维氮化二钛叠加组成累计厚度约1μm的骨架材料，所述纳米花状MoSe2颗粒均匀分布在手风琴型氮化二钛的间隙中，形成稳定的搭载结构。本发明还公开了所述纳米复合材料的制备方法，制备条件简单，可重复性高，且成本低廉。本发明还提供了所述纳米复合材料在作为水裂解催化电极材料方面的应用，所述电极材料具有催化效率高，稳定性好，导电性高，接触比表面积大，循环稳定性强等优点，适合在商业领域应用。