公开(公告)号：CN110586162A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910905414.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 宗晖 ,  郁可 ,  冯宇 ,  王振国 ,  任杰 ,  胡乐 ,  朱自强

IPC: B01J27/24 ,  C25B1/04 ,  C25B11/06 ,  B01J35/10

Abstract: 本发明公开了一种掺杂二硒化钼的层状氮化二钛纳米复合材料及制备方法和应用，其复合材料以花状MoSe2纳米颗粒作为掺杂物，手风琴状氮化二钛层状纳米片作为搭载基底材料；所述手风琴型氮化二钛是由长约3~4μm，宽约1~2μm的二维氮化二钛叠加组成累计厚度约1μm的骨架材料，所述纳米花状MoSe2颗粒均匀分布在手风琴型氮化二钛的间隙中，形成稳定的搭载结构。本发明还公开了所述纳米复合材料的制备方法，制备条件简单，可重复性高，且成本低廉。本发明还提供了所述纳米复合材料在作为水裂解催化电极材料方面的应用，所述电极材料具有催化效率高，稳定性好，导电性高，接触比表面积大，循环稳定性强等优点，适合在商业领域应用。

公开(公告)号：CN105655562B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201610115630.2

申请日：2016-03-01

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郭邦军 ,  郁可 ,  朱自强

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种放射状碳架纳米带搭载洋葱层状MoS2纳米小球纳米复合材料。所述纳米复合材料的洋葱层状MoS2纳米小球作为被搭载物，放射状碳架纳米带作为搭载基础骨架材料，形成稳定结构；所述放射状碳架纳米带骨架是由长约1.5～2.0um，宽约80～100nm的薄碳架纳米带交叉组成放射间隙形状，所述洋葱层状MoS2纳米小球均匀分布在放射状碳架纳米带间隙中，形成稳定搭载结构。本发明还公开了所述纳米复合材料的制备方法，所述制备方法重复性高，成本低廉，制备条件简单。本发明还提供了所述纳米复合材料在作为锂离子电池阳极材料方面的应用，所述电池阳极材料具有稳定性好，导电性高，接触比表面积大，循环稳定性强等优点。

公开(公告)号：CN104402052B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410598134.8

申请日：2014-10-30

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郁可 ,  傅豪 ,  朱自强

IPC: C01G39/06 ,  C01G23/053 ,  B82Y30/00 ,  B01J27/051

Abstract: 本发明公开一种TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料，其包括MoS2纳米花和TiO2纳米颗粒；所述TiO2纳米颗粒均匀且大量分布在所述MoS2纳米花的表面，在花瓣上具有良好复合；所述TiO2纳米颗粒相呈点状密集分布。为本发明还公开了TiO2量子点复合MoS2纳米花异质结半导体材料的制备方法，采用两步溶剂热法使MoS2纳米花上均匀生长出点状TiO2纳米颗粒，得到良好复合形貌的材料。本发明制备方法具有操作简单，产量高，制备成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展应用潜力。

公开(公告)号：CN104445361A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410614142.7

申请日：2014-11-04

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郁可 ,  宋长青 ,  李守川 ,  朱自强

IPC: C01G3/12 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C01G3/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开了一种自镶嵌三维Cu2S纳米结构及其制备方法，以一次水热法合成的纳米片自组装Cu2S球状纳米结构为骨架，以二次水热法合成的Cu2S纳米薄片均匀分布在所述Cu2S球状纳米结构的纳米片表面与边缘，形成所述自镶嵌三维Cu2S纳米结构。本发明还提供了基于自镶嵌三维Cu2S纳米结构的场电子发射阴极材料及其制备方法。本发明制备方法具有成本低、制备条件简单、重复性高、杂质少等优点。本发明自镶嵌三维Cu2S纳米结构及场电子发射阴极材料结晶性高，结构稳定，比表面积大，边缘超薄，具有优良的场电子发射性能。

公开(公告)号：CN104341006A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310317889.1

申请日：2013-07-25

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张庆锋 ,  郁可 ,  朱自强 ,  宋长清

IPC: C01G39/06 ,  C01B31/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01G39/06 ,  C01B32/16 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/133 ,  C01P2004/30

Abstract: 本发明公开了一种三维MoS2@MWNTs纳米结构，其包括均匀交叉在一起的MoS2和MWNTs，MWNTs表面上覆盖多层MoS2纳米层和MoS2纳米突起，形成三维MoS2@MWNTs纳米结构。本发明还提供了三维MoS2@MWNTs纳米结构的制备方法，利用水热法MoS2和MWNTs在多元醇协助下制备得到大面积的MoS2@MWNTs纳米半导体材料。本发明操作简单、成本低、重复性好、可实现规模生产，在光催化性能、电化学以及场发射研究领域中有极大应用潜力。

公开(公告)号：CN103274443A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310141259.3

申请日：2013-04-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 汪阳 ,  郁可 ,  李守川 ,  尹海宏 ,  宋长青 ,  朱自强

IPC: C01G3/02 ,  C01G9/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料，包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构；其中，所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成，所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构，所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单，所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。

公开(公告)号：CN102211948B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010145335.4

申请日：2010-04-12

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黄雁君 ,  郁可 ,  朱自强

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种在硅片上复合In2O3分层棒状纳米结构的半导体材料及其制备方法，所述材料包括硅片衬底和衬底表面生长的In2O3晶体；所述In2O3晶体长度为260～360μm，底部分层棒状直径为1.0～1.4μm，顶部线的直径大约为80～120nm；所述制备方法是以In颗粒作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3分层棒状纳米结构。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。

公开(公告)号：CN102219552B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010150564.5

申请日：2010-04-19

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黄雁君 ,  郁可 ,  朱自强

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种在硅片上复合In2O3箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体长度为5～15μm，顶端为多面体结构，底部为棒状结构，棒状结构具有四个面，并从顶端到底端逐渐变细，10～30个箭状纳米结构底部聚在一起形成一个花束状结构。其制备方法是以In颗粒作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3箭状纳米结构。本发明具有大面积生长，成本低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。

公开(公告)号：CN102211949B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010145341.X

申请日：2010-04-12

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黄雁君 ,  郁可 ,  李立珺 ,  蒋雯陶 ,  倪娟 ,  徐哲 ,  汪阳 ,  朱自强

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种在硅片上复合In2O3多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体具有4～6个角，相邻角顶点之间的距离为17～19μm，每个角的长度为8～10μm；制备方法是以In颗粒作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3多角分层塔状纳米结构。本发明具有成本低，生长温度低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的发展。

公开(公告)号：CN101851114B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010174386.X

申请日：2010-05-14

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黄雁君 ,  郁可 ,  朱自强

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种在硅片上复合In2O3触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体为多面体纳米结构连接形成的触须状纳米结构，In2O3晶体长度为48～68μm，多面体的大小由触须状结构顶端到底端逐渐变大。其制备方法是以In2O3粉和C粉作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3触须状纳米结构。本发明中的触须状纳米结构，表面上有大量可作为发射点的棱角，可作为良好的场发射阴极材料。本发明具有成本低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的制备。