公开(公告)号：CN104157704A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410377497.9

申请日：2014-08-01

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 何俊 ,  张俊 ,  孙琳 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种新的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构及制备方法。所述Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构包括衬底，金属底电极层，Cu2ZnSnS4薄膜层和金属顶电极层；在所述衬底上，自下而上依次沉积所述金属底电极层、Cu2ZnSnS4薄膜层和金属顶电极层。本发明Cu2ZnSnS4肖特基二极管避免器件结构中出现大的串联电阻，从而优化肖特基二极管的理想因子，有利于提高器件的截止频率，适合应用于高频电路中。本发明所用原料丰富，价格低廉，抗辐射抗衰减能力强，稳定性好，沉积方法较为多样，衬底选择性多，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺简单，具广泛应用前景。

公开(公告)号：CN104157734B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201410392589.4

申请日：2014-08-11

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黄玲 ,  何俊 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，在钠钙玻璃衬底上，先用射频磁控溅射法制备CuZnGe金属预置层，再进行硫化/硒化处理。本发明中磁控溅射采用单质铜靶，单质锌靶和单质锗靶；硫化反应/硒化反应在真空腔室中进行，将溅射所得的层状金属薄膜前驱体和硫粉/硒粉放置于石墨盒中，进行后硫化/后硒化的处理，得到铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层。本发明制备的薄膜太阳能电池吸收层具有原料来源丰富，对环境友好，抗辐射抗衰减能力强，稳定性好，制备工艺简单，适用于工业化生产的优点。

公开(公告)号：CN102610673A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210079048.7

申请日：2012-03-23

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 何俊 ,  孙琳 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种铜锌锡硫化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜电池包括玻璃衬底、金属背电极层、P型吸收层、n型硫化镉缓冲层、透明氧化物薄膜窗口层及TCO顶电极；所述P型的铜锌锡硫吸收层的制备方法是：使用单靶脉冲激光沉积技术，采用一步法工艺合成，无后续的热处理过程。本发明的太阳能电池具有所含元素矿源丰富且无毒，对环境友好，光电转换率高，稳定性好，结构简单，制备工艺简单，成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN104157734A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410392589.4

申请日：2014-08-11

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 黄玲 ,  何俊 ,  杨平雄 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/072 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，在钠钙玻璃衬底上，先用射频磁控溅射法制备CuZnGe金属预置层，再进行硫化/硒化处理。本发明中磁控溅射采用单质铜靶，单质锌靶和单质锗靶；硫化反应/硒化反应在真空腔室中进行，将溅射所得的层状金属薄膜前驱体和硫粉/硒粉放置于石墨盒中，进行后硫化/后硒化的处理，得到铜锌锗硫/铜锌锗硒薄膜太阳能电池吸收层。本发明制备的薄膜太阳能电池吸收层具有原料来源丰富，对环境友好，抗辐射抗衰减能力强，稳定性好，制备工艺简单，适用于工业化生产的优点。