公开(公告)号：CN101436617A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810204073.7

申请日：2008-12-04

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 刘艳 ,  王基庆 ,  茅惠兵 ,  张勇 ,  张红英

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01F1/40 ,  H01F41/14

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种含不对称双量子阱结构GaMnN铁磁半导体异质结材料及其制备，由Si衬底、左势垒层、左量子阱、中间势垒层、右量子阱和右势垒层组成，后五层薄膜依次生长在Si衬底上，构成左势垒层、中间势垒层和右势垒层的材质是Al0.13Ga0.87N，构成左量子阱的材质是B掺杂的GaN，构成右量子阱的材质是B和Mnδ掺杂的GaN，左势垒层、左量子阱、中间势垒层、右量子阱和右势垒层的宽度分别为30、10～200、10、20和30。该材料的量子阱结构可调性为制备所需的高居里温度TC的GaMnN铁磁半导体异质结材料提供了可靠而有效的技术手段，制备方法简单，成本低，重复性好，能与IC制备工艺兼容。该材料特别适于用作制造光电子器件的材料。