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公开(公告)号：CN102494764A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110356317.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖可见光宽波段的微光探测方法，其特点是该方法将量子点-量子阱光电探测器与CMOS读出电路对接后置于设有微光测试系统的箱内，然后对微光进行探测时可直接读出覆盖可见光的宽波段。本发明与现有技术相比具有灵敏度高，信噪比大，探测波段范围宽，可对光功率
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公开(公告)号：CN101875844A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN201010104534.0
申请日：2010-02-02
Applicant: 华东师范大学
IPC: C09K11/58
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明公开了一种可发射白色荧光的纳米材料，以及这种纳米材料的制备方法；属于纳米半导体发光材料技术领域。该纳米材料为铜、锰原子共掺杂的硫化锌半导体量子点，其中铜原子与锌原子的原始摩尔比为0.1～0.2％，锰原子与锌原子的原始摩尔比为0.4％～0.6％，并且加入PVP减缓化学反应速度且防止反应过程中量子点团聚。此发光材料主要发射峰能量范围为2.86～3.17eV，2.35～2.65eV，2.01～2.25eV。本发明的优点是：本发明提供了一种可发白光的半导体量子点材料，并且制备过程简单，可重复性很好，成本较低，无毒。本发明制备的量子点所发白光的色度不易受外界因素的影响，非常稳定。
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公开(公告)号：CN101436617A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810204073.7
申请日：2008-12-04
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01F1/40 , H01F41/14
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种含不对称双量子阱结构GaMnN铁磁半导体异质结材料及其制备，由Si衬底、左势垒层、左量子阱、中间势垒层、右量子阱和右势垒层组成，后五层薄膜依次生长在Si衬底上，构成左势垒层、中间势垒层和右势垒层的材质是Al0.13Ga0.87N，构成左量子阱的材质是B掺杂的GaN，构成右量子阱的材质是B和Mnδ掺杂的GaN，左势垒层、左量子阱、中间势垒层、右量子阱和右势垒层的宽度分别为30、10～200、10、20和30。该材料的量子阱结构可调性为制备所需的高居里温度TC的GaMnN铁磁半导体异质结材料提供了可靠而有效的技术手段，制备方法简单，成本低，重复性好，能与IC制备工艺兼容。该材料特别适于用作制造光电子器件的材料。
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公开(公告)号：CN103805200B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201410038240.0
申请日：2014-01-26
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米晶／半导体量子点复合纳米材料，其包括银纳米晶和CdSe／ZnS量子点，所述银纳米晶和CdSe／ZnS量子点之间由静电作用结合而成，其颗粒形貌均一，分散性良好，发光效率高。本发明还公开了银纳米晶／半导体量子点复合纳米材料的制备方法，该方法可在常温常压下进行，简单易行，成本低，适于广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103805200A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410038240.0
申请日：2014-01-26
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米晶/半导体量子点复合纳米材料，其包括银纳米晶和CdSe/ZnS量子点，所述银纳米晶和CdSe/ZnS量子点之间由静电作用结合而成，其颗粒形貌均一，分散性良好，发光效率高。本发明还公开了银纳米晶／半导体量子点复合纳米材料的制备方法，该方法可在常温常压下进行，简单易行，成本低，适于广泛应用。
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公开(公告)号：CN102494764B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110356317.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种覆盖可见光宽波段的微光探测方法，其特点是该方法将量子点-量子阱光电探测器与CMOS读出电路对接后置于设有微光测试系统的箱内，然后对微光进行探测时可直接读出覆盖可见光的宽波段。本发明与现有技术相比具有灵敏度高，信噪比大，探测波段范围宽，可对光功率
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公开(公告)号：CN1974405A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610147861.8
申请日：2006-12-25
Applicant: 华东师范大学
IPC: C01G23/053 , B82B3/00
Abstract: 一种周期性二氧化钛纳米线的制备方法，确切说，涉及用模板法制备周期性二氧化钛纳米线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。背景技术以金属无机盐和金属氧化物为原料，运用溶剂热法制备出单晶二氧化钛纳米线，该法中所需药品量及溶剂量较多，制备过程中恒温时间也较长，操作不便，制备出的纳米线杂乱无序。本发明的方法以含有周期性的、高度有序的微孔阵列的氧化铝作模板，用溶胶凝胶技术在其高度有序的微孔阵列内制得产品，周期性二氧化钛纳米线，有可有效地控制二氧化钛纳米线的分布，使其具有周期性；可控制二氧化钛纳米线的尺寸；和简单易行，制作成本低，无污染等优点。
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公开(公告)号：CN100582325C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710044108.0
申请日：2007-07-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 一种硫化镉量子线的制备方法，确切说，一种用模板法制备硫化镉量子线的方法，属于纳米材料制备的技术领域。以含有微孔阵列的氧化铝作模板，微孔的直径和孔深分别为8～20nm和2～3μm，用直流电沉积技术在微孔阵列内制得尺寸可调的硫化镉量子线，该制备方法可有效地控制硫化镉量子线的尺寸，使其具有量子限制效应，而且还可由量子限制效应调节禁带宽度，使硫化镉的吸收系数比体材料更大；该制备方法有序地分布在含微孔阵列的氧化铝模板中，量子线之间互相分离，并能被精确定位。该制备方法特别适于用来制备硫化镉量子线。
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公开(公告)号：CN101532177A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200810208059.4
申请日：2008-12-29
Applicant: 华东师范大学
IPC: C30B29/48 , C30B29/62 , C30B30/02 , C25D11/12 , C25D11/18 , H01L31/0296 , H01L31/036
Abstract: 一种用模板法制备硫化锌量子线的方法，先用阳极氧化方法在铝基片的两面依次形成阻挡层和含微孔阵列的氧化铝层，阻挡层是不含微孔阵列的氧化铝层，微孔的孔径大小为8～15nm，再将铝基片夹持在去铝基夹具中去除铝基片一面的中心部分上的含微孔阵列的氧化铝层、阻挡层、铝基和铝基片另一面的氧化铝层背面的阻挡层，卸去去铝基夹具，得含微孔阵列的氧化铝纳米模板，然后在去掉铝基的一面的氧化铝层上溅射一层金电极，最后，用直流电沉积法在所述的纳米模板的微孔中形成硫化锌量子线。制得的硫化锌量子线具有非常明显的量子限制效应，比表面积巨大，材料的纯度高，密度和特性均匀，比背景技术制得的直径较大的硫化锌量子线，具有更加优异的性能。
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