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公开(公告)号:CN118094143A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410084686.0
申请日:2024-01-19
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明涉及一种植入式电极失效分析方法,包括以下步骤:采集植入前电极的截面图;采集所述电极植入后在不同时间、不同位点的截面图和返回信号数据;构建图像语义分割模型分析所述初始截面图和所述植入截面图,提取所述电极金属截面的原始二值图像和植入二值图像;利用所述原始二值图像、所述植入二值图像和所述返回信号数据分析得到所述电极的失效曲线。本发明能够精确地提取脑电极截面的金属部分并分析其形貌特征,利用该形貌特征结合返回信号数据建立与脑电极失效程度的关系曲线。
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公开(公告)号:CN117269540A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311075648.0
申请日:2023-08-25
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01Q30/04
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法,包括:接收待测量透射电镜图;将所述待测量透射电镜图输入至目标图像分割模型,得到标记有层状结构的二值化图像;对所述待测量的透射电镜图进行图像处理,确定所述待测量的透射电镜图中标尺所占的像素点;使用骨架提取算法对标记有层状结构的二值化图像进行处理,得到骨架化图像;以垂直层状结构的方向,遍历所述骨架化图片中的像素点;确定垂直层状结构的方向像素点位置和个数,并结合所述标尺所占的像素点,计算透射电镜中的层数与层间距。本发明实现了对二维材料的层数与间距的自动化测量。
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