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公开(公告)号：CN103938156B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410097917.8
申请日：2014-03-17
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜，其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi1-xEuxFeO3(0≤x≤0.07)的靶材，靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法，清洗衬底，将靶材和衬底置于镀膜室内，调节压强至5×10-4Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃；调节使溅射气压为10Pa；在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转，靶材正转；衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min，保温30min。以每分钟20℃的速度降温，至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制，原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善，光学带隙变小，提高了BiFeO3薄膜的光伏性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103666473A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310581766.9
申请日：2013-11-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜的制备方法，在石英衬底基片上旋涂按溶胶凝胶法制得的前驱体溶液，形成凝胶薄膜，再将前述凝胶薄膜置于热退火炉中进行分段热处理，得到所述稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜；其中，制备所述前驱体的原料包括乙酸铝、乙酸镧以及稀土氧化铕。本发明制备方法的反应过程易于控制，在相对较低温度下反应，原料易得，设备要求低，操作简单，反应周期短，重复性好，制备成本低，可得到高质量产物，稀土掺杂均匀，薄膜晶粒尺寸较小，具广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN103938156A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410097917.8
申请日：2014-03-17
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜，其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi1-xEuxFeO3(0≤x≤0.07)的靶材，靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法，清洗衬底，将靶材和衬底置于镀膜室内，调节压强至5×10-4Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃；调节使溅射气压为10Pa；在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转，靶材正转；衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min，保温30min。以每分钟20℃的速度降温，至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制，原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善，光学带隙变小，提高了BiFeO3薄膜的光伏性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103666473B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310581766.9
申请日：2013-11-18
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜的制备方法，在石英衬底基片上旋涂按溶胶凝胶法制得的前驱体溶液，形成凝胶薄膜，再将前述凝胶薄膜置于热退火炉中进行分段热处理，得到所述稀土铕离子掺杂铝酸镧长余辉发光薄膜；其中，制备所述前驱体的原料包括乙酸铝、乙酸镧以及稀土氧化铕。本发明制备方法的反应过程易于控制，在相对较低温度下反应，原料易得，设备要求低，操作简单，反应周期短，重复性好，制备成本低，可得到高质量产物，稀土掺杂均匀，薄膜晶粒尺寸较小，具广泛应用前景。
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