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公开(公告)号：CN110137355B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910401316.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法，对比对象为现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管。通过掩膜版在现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的栅极上真空热蒸镀出20~40纳米的栅极保护层，再依次采取干氧刻蚀及紫外曝光刻蚀的方式，利用有机薄膜晶体管中栅极的自对准作用，将未被栅极所覆盖的绝缘介电层和半导体沟道层刻蚀。本发明提高了有机半导体沟道载流子产生速率，并且防止源漏电极附近，未被栅极覆盖的半导体沟道层激发出载流子，使关态电流增加。在保持良好电学性能的同时，减小了亚阈值摆幅并且提高了开关比，具有成本低廉、工艺便捷且适用于各类顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的特点。
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公开(公告)号：CN110265548B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910481510.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法，所述N型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上制备一层铟作为掺杂层，然后利用溶胶凝胶法，在已制备电极完毕的样品表面形成N型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的N型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单且广泛适用于N型有机薄膜晶体管的特点。
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公开(公告)号：CN108226071B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810063375.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本发明借助光在抛物面结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点的左侧设置凹透镜，在右焦点设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射，平行射入右侧抛物面金属壳内壁中，再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定，提高了测量的可重复性，做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，操作方便以及测量精准等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108226071A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810063375.0
申请日：2018-01-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本发明借助光在抛物面结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点的左侧设置凹透镜，在右焦点设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射，平行射入右侧抛物面金属壳内壁中，再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定，提高了测量的可重复性，做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，操作方便以及测量精准等优点。
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公开(公告)号：CN110129721A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910343684.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种用于铁磁性掩膜版的热蒸发镀膜器基板，包括圆形罩壳、按钮开关、磁力单元及圆形载物盘，本发明采用在圆形载物盘上设置一个圆形罩壳，在圆形罩壳内设置了按钮开关及磁力单元；在热蒸发镀膜时，将样品置于圆形载物盘上，将铁磁性掩膜版置于样品上对准，开启按钮开关，磁力单元工作，将铁磁性掩膜版连同样品吸附在圆形载物盘上，将圆形载物盘置于热蒸发镀膜器上，实施对样品的热蒸发镀膜，克服了胶带粘贴的繁琐工艺，避免了对蒸汽镀薄膜样品的损伤，具有结构简单、使用方便、掩膜版与样品贴合度高的优点。
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公开(公告)号：CN110265548A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910481510.8
申请日：2019-06-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法，所述N型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上制备一层铟作为掺杂层，然后利用溶胶凝胶法，在已制备电极完毕的样品表面形成N型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其开关比和载流子迁移率得到了明显的提升，器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的N型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单且广泛适用于N型有机薄膜晶体管的特点。
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公开(公告)号：CN110137355A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910401316.4
申请日：2019-05-15
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法，对比对象为现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管。通过掩膜版在现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的栅极上真空热蒸镀出20~40纳米的栅极保护层，再依次采取干氧刻蚀及紫外曝光刻蚀的方式，利用有机薄膜晶体管中栅极的自对准作用，将未被栅极所覆盖的绝缘介电层和半导体沟道层刻蚀。本发明提高了有机半导体沟道载流子产生速率，并且防止源漏电极附近，未被栅极覆盖的半导体沟道层激发出载流子，使关态电流增加。在保持良好电学性能的同时，减小了亚阈值摆幅并且提高了开关比，具有成本低廉、工艺便捷且适用于各类顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的特点。
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公开(公告)号：CN207882143U
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201820110294.7
申请日：2018-01-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于抛物面结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及抛物面测量单元。本实用新型借助光在抛物面结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在抛物面测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点的左侧设置凹透镜，在右焦点设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过左侧抛物面金属壳内壁的反射，平行射入右侧抛物面金属壳内壁中，再由右侧抛物面金属壳内壁反射汇聚于电荷耦合元件处。该光谱装置结构保证了经过抛物面测量单元内气体样品的光程固定，提高了测量的可重复性，做到了对气体样品等光程多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，操作方便以及测量精准等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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