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公开(公告)号：CN119440906A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540933.X
申请日：2024-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统，属于半导体存储技术领域，包括：编码阶段：对于待写入三维NAND闪存的数据进行极化码编码，得到长度为N的码字序列；译码阶段：对于从三维NAND闪存读出的长度为N的数据，计算每一位的LLR值；设定SCL译码算法的列表长度后，将N位LLR值输入SCL译码算法，实现译码；设定SCL译码算法的列表长度包括：获取三维NAND闪存当前的原始误码率下，SCL译码算法在不同列表长度下的误码率，从中筛选出误码率低于预设性能阈值的列表长度，将SCL译码算法的列表长度设定为筛选出的最小长度。本发明与三维NAND闪存的错误特性相适应，能够在保证满足纠错需求的情况下降低开销。
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